[发明专利]晶圆翘曲程度的监控方法在审
| 申请号： | 201811460067.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109560002A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 杨帆;赵彬;王剑 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案化 第一膜层 基准数据 光刻胶层 检验数据 膜层 晶圆翘曲 晶圆 量测 翘曲 监控 二次污染 工艺步骤 工作效率 晶圆表面 冗余 衬底 返工 刻蚀 良率 种晶 保证 发现 | ||
1.一种晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成第一膜层，并在所述第一膜层上形成图案化的光刻胶层；
刻蚀所述第一膜层以在所述第一膜层中形成沟槽，得到图案化的第一膜层；
对所述图案化的光刻胶层或者所述图案化的第一膜层进行量测，得到第一组对准数据，作为基准数据；
去除所述图案化的光刻胶层；
形成第二膜层，所述第二膜层覆盖所述图案化的第一膜层的上表面、所述沟槽的底壁及所述沟槽的侧壁；
对所述第二膜层进行量测，得到第二组对准数据，作为检验数据；
将所述检验数据与所述基准数据进行比较，监控晶圆的翘曲程度。
2.根据权利要求1所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，刻蚀所述第一膜层采用的是干法刻蚀工艺。
3.根据权利要求2所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，所述第一膜层的材质为单晶硅或者二氧化硅。
4.根据权利要求1所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，使用套刻对准机台对所述图案化的第一膜层和所述第二膜层进行量测。
5.根据权利要求4所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，使用高温成膜制程工艺形成第二膜层，所述高温成膜制程工艺的温度大于1000℃。
6.根据权利要求5所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，所述第二膜层覆盖于所述第一膜层的上表面的部分的厚度为100～300埃。
7.根据权利要求6所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，所述第二膜层的材质为二氧化硅。
8.根据权利要求1所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，所述检验数据与所述基准数据的比较包括差值比较和量测结果矢量图比较。
9.根据权利要求1所述的晶圆翘曲程度的监控方法，其特征在于，在形成图案化的光刻胶层之前，还包括利用机械化学研磨工艺平坦化所述第一膜层的表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811460067.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
