[发明专利]电子装置、非暂时性计算机可读存储介质以及控制方法

说明书

本发明涉及一种电子装置，该电子装置包括：控制器；非暂时性计算机可读存储介质，包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且存储控制器可执行的操作码。基于操作码，控制器被配置为：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率，并且通过将错误率反映在相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值中来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月26日提交的申请号为10-2018-0022816的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

各个实施例总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种包括非暂时性计算机可读存储介质的电子装置。

背景技术

电子装置是能够处理数据并且可包括存储器系统的电子系统。存储器系统可在外部装置的控制下存储数据。存储器系统可包括个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、紧凑型闪存(CF)卡、智能媒体卡、记忆棒、各种多媒体卡(MMC、eMMC、RS-MMC和微型-MMC)、安全数字(SD)卡(SD、迷你-SD和微型-SD)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)等。

发明内容

在实施例中，一种电子装置可包括：控制器；以及非暂时性计算机可读存储介质，其包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且存储控制器可执行的操作码，其中基于操作码，控制器被配置为：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率，并且通过将错误率反映在相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值中来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。

在实施例中，一种非暂时性计算机可读存储介质可包括：存储器单元，具有多个阈值电压分布并且存储处理装置可执行的操作码，其中操作码是用于执行以下操作的代码：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率；通过将错误率反映至相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。

在实施例中，一种电子装置的操作方法，电子装置包括具有多个阈值电压分布的存储器单元，操作方法可包括：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压，并且设置与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值；确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率；通过将错误率反映至相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来生成读取电压。

在实施例中，一种电子装置可包括：非暂时性计算机可读存储介质，包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且配置为存储操作码；以及控制器，配置为通过运行从非暂时性计算机可读存储介质读取的操作码来控制非暂时性计算机可读存储介质，其中控制器包括读取电压设置单元，读取电压设置单元配置为：计算多个阈值电压分布的平均阈值电压以设置暂时读取电压，暂时读取电压与多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应；通过利用暂时读取电压读取存储器单元的读取值来生成参考值，并且确定对应于暂时读取电压的标准值；基于参考值和标准值来计算错误率；通过将错误率反映至相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值；以及通过将偏移值应用至暂时读取电压来设置读取电压。

附图说明

图1是示出根据实施例的电子装置的框图。