[发明专利]电子装置、非暂时性计算机可读存储介质以及控制方法有效
申请号: | 201811459653.0 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN110197696B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 俞熙男 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/30;G11C16/26 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 暂时性 计算机 可读 存储 介质 以及 控制 方法 | ||
1.一种电子装置,包括:
控制器;以及
非暂时性计算机可读存储介质,包括具有多个阈值电压分布的存储器单元并且存储所述控制器可执行的操作码,
其中基于所述操作码,控制器:
计算所述多个阈值电压分布的平均阈值电压,并且设置与所述多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压;
通过将所述暂时读取电压施加到所述存储器单元来从所述存储器单元读取读取值,对读取值是预定值的各个存储器单元的数量进行计数作为参考值;
确定对应于所述暂时读取电压的标准值;
基于所述参考值和所述标准值来计算错误率,并且通过将所述错误率反映在所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值中来设置偏移值;以及
通过将所述偏移值应用至所述暂时读取电压来设置读取电压。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述参考值通过所述存储器单元之中的具有低于所述暂时读取电压的阈值电压的存储器单元的数量来确定。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述标准值是所述参考值的期望值,所述标准值包含在所述操作码中。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述错误率被计算为所述标准值和所述参考值之间的差值相对于所述标准值的比率。
5.根据权利要求1所述的电子装置,其中通过将所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值乘以所述错误率来计算所述偏移值。
6.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述暂时读取电压被设置为所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压的中间值。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其中通过将所述偏移值与所述暂时读取电压相加来生成所述读取电压。
8.一种非暂时性计算机可读存储介质,包括:
存储器单元,具有多个阈值电压分布并且存储处理器装置可执行的操作码,
其中所述操作码是用于执行以下操作的代码:
计算所述多个阈值电压分布的平均阈值电压,并且设置与所述多个阈值电压分布之中的相邻阈值电压分布的平均阈值电压相对应的暂时读取电压;
通过将所述暂时读取电压施加到所述存储器单元来从所述存储器单元读取读取值,对读取值是预定值的各个存储器单元的数量进行计数作为参考值;
确定对应于所述暂时读取电压的标准值;
基于所述参考值和所述标准值来计算错误率;
通过将所述错误率反映至所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值来设置偏移值;以及
通过将所述偏移值应用至所述暂时读取电压来设置读取电压。
9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质,其中所述参考值通过所述存储器单元之中的具有低于所述暂时读取电压的阈值电压的存储器单元的数量来确定。
10.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质,其中所述标准值是所述参考值的期望值,所述标准值包含在所述操作码中。
11.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质,其中所述错误率被计算为所述标准值与所述参考值之间的差值相对于所述标准值的比率。
12.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质,其中通过将所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压之间的差值乘以所述错误率来计算所述偏移值。
13.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储介质,其中所述暂时读取电压被设置为所述相邻阈值电压分布的平均阈值电压的中间值。
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