[发明专利]抗反射底发光型OLED显示装置及其制作方法在审
| 申请号: | 201811459470.9 | 申请日: | 2018-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN109509778A | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
| 发明(设计)人: | 唐岳军;李雪云 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 黑色矩阵 驱动晶体管 发光层 发光型 开口区 抗反射 显示区 基底 发光材料层 非显示区 阵列排列 基底间隔 投影重合 图像品质 装置显示 环境光 减小 反射 制作 | ||
本发明提供一种抗反射底发光型OLED显示装置及其制作方法,其中所述抗反射底发光型OLED显示装置包括基底、多个驱动晶体管及发光层。所述基底间隔的设置多个黑色矩阵,每一所述驱动晶体管阵列排列且对应每一所述黑色矩阵设置在所述基底上。发光层设置在所述驱动晶体管上。相邻二个所述黑色矩阵间具有开口区,所述发光层包括阵列排列的多个发光材料层。每一所述发光材料层定义出显示区和非显示区,所述开口区对应所述显示区,且所述非显示区对应所述黑色矩阵,所述显示区与所述黑色矩阵的开口区在所述基底的投影重合。借此,避免或减小OLED显示装置对环境光的反射,以提高OLED显示装置显示的图像品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤指一种抗反射底发光型OLED显示装置及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Display,OLED)显示器作为用于显示图像的显示设备已广泛使用各领域中。OLED显示器与液晶显示器(LCD)设备不同的是,其具有自发光特性,并不采用单独的光源,因此比采用单独光源的显示设备薄和轻,相对容易实现柔性和可折叠显示的特性。OLED显示器根据发光方向的不同,可分为底发光型(即相对于基板向下发光)和顶发光型(即相对于基板向上发光)两种类型。
由于OLED显示器发光器件内具有多层金属层结构,例如在像素限定层下方以及边框部位的金属走线、电路层等,对环境光具有强反射特性,而会反射环境光至人眼,造成难以看清画面的问题,因此有些OLED显示器在显示器表面设置有抗反射层(Anti-reflectionlayer)结构,例如圆偏振器(Circular polarizer,CPL)等,将金属层结构反射的环境光吸收。然而采用CPL将使出光效率大幅下降,造成OLED显示器的光利用率降低。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种抗反射底发光型OLED显示装置及其制作方法,来解决现有技术所存在的问题。
本发明的目的,在于提供一种抗反射底发光型OLED显示装置及其制作方法,避免或减小OLED显示装置内的金属层吸收环境光并反射至人眼,从而能够提高显示装置显示的图像品质。
为达成本发明的前述目的,本发明提供一种抗反射底发光型OLED显示装置,包括基底、多个驱动晶体管及发光层。所述基底间隔的设置多个黑色矩阵,每一所述驱动晶体管阵列排列且对应每一所述黑色矩阵设置在所述基底上。发光层设置在所述驱动晶体管上,其中,相邻二个所述黑色矩阵间具有开口区,所述发光层包括阵列排列的多个发光材料层,每一所述发光材料层定义出显示区和非显示区,所述开口区对应所述显示区,且所述非显示区对应所述黑色矩阵。
在本发明的一实施例中,还包括设置在所述基底上的缓冲层,所述黑色矩阵选择性地设置于所述缓冲层和所述基底之间或是所述缓冲层和所述发光层之间。
在本发明的一实施例中,所述黑色矩阵设置于所述基底内,并将所述基底区分为第一衬底和第二衬底,其中所述第一衬底相对所述第二衬底更远离所述驱动晶体管设置。
在本发明的一实施例中,还包括无机绝缘层,所述无机绝缘层选择性地设置于所述第一衬底和所述黑色矩阵之间,或是所述第二衬底和所述黑色矩阵之间。
在本发明的一实施例中,所述无机绝缘层为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或碳化硅(SiCx),所述第一衬底或所述第二衬底选自于聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)及玻璃纤维增强塑料(FRP)其中之一或其组合,且所述第一衬底或所述第二衬底材料为相同或不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811459470.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





