[发明专利]抗反射底发光型OLED显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种抗反射底发光型OLED显示装置，包括:

基底，间隔的设置多个黑色矩阵；

多个驱动晶体管，每一所述驱动晶体管阵列排列且对应每一所述黑色矩阵设置在所述基底上；及

发光层，设置在所述驱动晶体管上；

其中，相邻二个所述黑色矩阵间具有开口区，所述发光层包括阵列排列的多个发光材料层，每一所述发光材料层定义出显示区和非显示区，所述开口区对应所述显示区，且所述非显示区对应所述黑色矩阵。

2.如权利要求1所述的抗反射底发光型OLED显示装置，其特征在于，还包括设置在所述基底上的缓冲层，所述黑色矩阵选择性地设置于所述缓冲层和所述基底之间或是所述缓冲层和所述发光层之间。

3.如权利要求1所述的抗反射底发光型OLED显示装置，其特征在于，所述黑色矩阵设置于所述基底内，并将所述基底区分为第一衬底和第二衬底，其中所述第一衬底相对所述第二衬底更远离所述驱动晶体管设置。

4.如权利要求3所述的抗反射显示装置，其特征在于，还包括无机绝缘层，所述无机绝缘层选择性地设置于所述第一衬底和所述黑色矩阵之间，或是所述第二衬底和所述黑色矩阵之间。

5.如权利要求4所述的抗反射底发光型OLED显示装置，其特征在于，所述无机绝缘层为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或碳化硅(SiCx)，所述第一衬底或所述第二衬底选自于聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)及玻璃纤维增强塑料(FRP)其中之一或其组合，且所述第一衬底或所述第二衬底材料为相同或不同。

6.如权利要求1所述的抗反射底发光型OLED显示装置，其特征在于，还包括依序设置于所述基底上的缓冲层、半导体活性层、栅极绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源/漏极层、平坦层和设置在所述发光层上的封装层，发光层则包括阳极、所述发光材料层、阴极和像素限定层(PDL，Pixel Defining Layer)，其中所述像素限定层内分割并限定每一所述发光材料层的大小。

7.一种抗反射底发光型OLED显示装置的制作方法，包括以下步骤：

S10、提供基底；

S20、在所述基底上间隔的形成多个黑色矩阵；

S30、在所述黑色矩阵上制备多个驱动晶体管，每一所述驱动晶体管阵列排列且对应每一所述黑色矩阵形成在所述基底上；及

S40、在所述驱动晶体管形成发光层，所述发光层包括阵列排列的多个发光材料层，每一所述发光材料层定义出显示区和非显示区，其中，相邻二个所述黑色矩阵间形成有开口区，所述开口区形成的对应所述显示区，所述非显示区对应所述黑色矩阵。

8.如权利要求7所述的抗反射显示装置的制作方法，其特征在于，在提供基底的过程中，还包括通过涂布或转印形成第一衬底，在第一衬底上形成所述黑色矩阵，在所述黑色矩阵上形成第二衬底。

9.如权利要求8所述的抗反射显示装置的制作方法，其特征在于，在形成所述黑色矩阵时，同时间隔的形成对位标记(alignment mark)，以形成后续制作所述驱动晶体管的定位记号。

10.如权利要求8所述的抗反射显示装置的制作方法，其特征在于，在所述第一衬底上形成所述黑色矩阵前或后，还包含形成无机绝缘层，所述无机绝缘层为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或碳化硅(SiCx)，所述第一衬底或所述第二衬底选自于聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、多芳基化合物(PAR)及玻璃纤维增强塑料(FRP)其中之一或其组合，且所述第一衬底或所述第二衬底材料为相同或不同。