[发明专利]晶圆缺陷扫描方法有效
申请号: | 201811458489.1 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109545700B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 韩俊伟 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/88;G01N21/95 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 缺陷 扫描 方法 | ||
本发明提供了一种晶圆缺陷扫描方法,首先,采集晶圆表面的若干裸片的光学图像;然后,在扫描机台中建立与所述裸片相对应的傅里叶滤波模块,并利用所述傅里叶滤波模块对所述裸片进行滤波;接着,将所有的滤波结果进行拟合分析并得出拟合曲线,并在所述光学图像中,找到与所述拟合曲线中的衍射交叉点对应的噪声点;最后,阻挡所述噪声点并对若干裸片的光学图像同时进行晶圆缺陷扫描。建立与所述裸片相对应的傅里叶滤波模块,实现了针对性的滤波去噪,减少了扫描机台的背景噪声,提高了扫描机台的工作效率。进一步的,所述傅里叶滤波模块兼顾晶圆上的所有裸片,从而进行全面的一次性滤波去噪,提高了晶圆缺陷扫描的准确性和可靠性。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种晶圆缺陷扫描方法。
背景技术
随着半导体技术的进一步发展,晶圆缺陷扫描已经成为提升半导体良率一项不可或缺的手段,目前暗场扫描机台由于扫描速度快、对晶圆表面缺陷极度敏感而受到晶圆缺陷扫描的青睐。
现阶段,暗场扫描机台利用图像处理系统采集晶圆表面多个裸片的光学图像,然后,对采集到的晶圆表面的各裸片的光学图像进行晶圆缺陷扫描。目前暗场扫描机台只能利用傅里叶滤波模块针对晶圆表面相同裸片的重复单元进行滤波,晶圆表面若干裸片中包含了不同的裸片,不同裸片就需要分次进行傅里叶滤波,这样的分次扫描会耗费大量的人力物力;当扫描机台对晶圆表面的若干不同裸片的重复单元同时进行扫描时,会造成大量的图像噪声,这对晶圆缺陷扫描工作造成干扰,影响晶圆缺陷扫描的可靠性和准确性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷扫描方法,以解决晶圆不同裸片同时进行缺陷扫描时有噪声的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆缺陷扫描方法,包括以下步骤:
采集晶圆表面的若干裸片的光学图像;
在扫描机台中建立与所述裸片相对应的傅里叶滤波模块;
利用所述傅里叶滤波模块对所述裸片进行滤波;
将不同的傅里叶滤波模块的滤波结果进行拟合分析,得出拟合曲线;
在所述光学图像中,找到与所述拟合曲线中的衍射交叉点对应的噪声点;
阻挡所述噪声点并对若干裸片的光学图像同时进行晶圆缺陷扫描。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,所述裸片的种类大于1种。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,不同种类的裸片相对应的所述傅里叶滤波模块的种类不同。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,所述晶圆表面的各裸片包括若干重复单元。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,位于同一裸片上的重复单元完全相同。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,所述傅里叶滤波模块对所述裸片内的重复单元的光学图像进行滤波。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,所述噪声点的反射成像的位置位于所述扫描机台的第一成像物镜和第二成像物镜之间,所述噪声点的反射成像能够串成一条线。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,所述衍射交叉点在所述拟合曲线上的具体位置体现出对应的所述噪声点的位置以及噪声强度。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,使用暗场扫描机台进行晶圆缺陷扫描。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,所述若干裸片由晶圆分割形成。
可选的,在所述晶圆缺陷扫描方法中,使用CMOS图像传感器采集晶圆表面的若干裸片的光学图像。
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