[发明专利]晶圆缺陷扫描方法有效
| 申请号： | 201811458489.1 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109545700B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 韩俊伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 扫描 方法 | ||
1.一种晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，包括以下步骤：
采集晶圆表面的若干裸片的光学图像；
在扫描机台中建立与所述裸片相对应的傅里叶滤波模块；
利用所述傅里叶滤波模块对所述裸片进行滤波；
将不同的傅里叶滤波模块的滤波结果进行拟合分析，得出拟合曲线；
在所述光学图像中，找到与所述拟合曲线中的衍射交叉点对应的噪声点；
阻挡所述噪声点并对若干裸片的光学图像同时进行晶圆缺陷扫描。
2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述裸片的种类大于1种。
3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，不同种类的裸片相对应的所述傅里叶滤波模块的种类不同。
4.根据权利要求3所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述晶圆表面的各裸片包括若干重复单元。
5.根据权利要求4所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，位于同一裸片上的重复单元完全相同。
6.根据权利要求5所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述傅里叶滤波模块对所述裸片内的重复单元的光学图像进行滤波。
7.根据权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述噪声点的反射成像的位置位于所述扫描机台的第一成像物镜和第二成像物镜之间，所述噪声点的反射成像能够串成一条线。
8.根据权利要求7所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述衍射交叉点在所述拟合曲线上的具体位置体现出对应的所述噪声点的位置以及噪声强度。
9.根据权利要求8所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，使用暗场扫描机台进行晶圆缺陷扫描。
10.根据权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，所述若干裸片由晶圆分割形成。
11.根据权利要求1所述的晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，使用CMOS图像传感器采集晶圆表面的若干裸片的光学图像。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
