[发明专利]复合式功率合成变压器在审
申请号: | 201811456500.0 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN111261389A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 孙亚楠;王小保;李诗华;蒋秉键;曾真;贾斌 | 申请(专利权)人: | 锐迪科微电子科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01F27/28 | 分类号: | H01F27/28 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾 |
地址: | 201203 上海市浦东新区(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 功率 合成 变压器 | ||
本发明提供一种复合式功率合成变压器,包括:堆叠的多个金属层,每个金属层包括至少一个线圈,同一金属层的不同线圈依次由外向内排列,不同金属层的线圈之间通过线圈连接孔进行连接,位于多个金属层的多个线圈分别构成变压器的初级线圈和次级线圈,所述初级线圈的多个线圈和所述次级线圈的多个线圈交叉分布,以使所述初级线圈和所述次级线圈之间形成复合式耦合。本发明能够提高线圈Q值和线圈间的耦合系数,进而提高变压器转换效率。
技术领域
本发明涉及变压器技术领域,尤其涉及一种复合式功率合成变压器。
背景技术
现有的射频功率合成变压器主要有两种形式,水平耦合变压器或者垂直耦合变压器。两种形式的变压器均采用简单的平面加工工艺,采用水平耦合方式时,各线圈位于同一平面的不同位置,线圈间的寄生电容小,但是互感也较小,当线圈金属层的厚度较小时线圈的Q值(即线圈电感的品质因数)也较低。而且由于趋肤效应,当金属层较厚时,线圈的Q值不会随着金属层厚度的增加而明显增加。采用垂直耦合方式时,各线圈位于不同平面的相同位置,线圈之间距离较近时产生明显的寄生电容,形成容性耦合通路,影响变压器的正常工作,当线圈之间距离较大时,线圈之间的耦合系数较小,变压器的转换效率也较低。而且采用单层金属实现线圈时,线圈的Q值也较低。
因此,现有的射频功率合成变压器至少存在如下技术问题:线圈的Q值较低,线圈间的耦合系数较小,变压器转换效率低。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种复合式功率合成变压器,能够提高线圈Q值和线圈间的耦合系数,进而提高变压器转换效率。
本发明提供一种复合式功率合成变压器,包括:堆叠的多个金属层,每个金属层包括至少一个线圈,同一金属层的不同线圈依次由外向内排列,不同金属层的线圈之间通过线圈连接孔进行连接,位于多个金属层的多个线圈分别构成变压器的初级线圈和次级线圈,所述初级线圈的多个线圈和所述次级线圈的多个线圈交叉分布,以使所述初级线圈和所述次级线圈之间形成复合式耦合。
可选地,包括两个金属层,各金属层的线圈个数相同且位置重合,所述初级线圈的多个线圈采用垂直并联结合水平并联的方式,所述次级线圈的多个线圈采用垂直并联结合串联的方式,使所述初级线圈和所述次级线圈之间形成复合式耦合。
可选地,所述次级线圈还包括一个引出抽头连接孔。
可选地,包括两个金属层,各金属层的线圈个数不同且位置交错,所述初级线圈的多个线圈采用串联的方式,所述次级线圈的多个线圈采用串联的方式,使所述初级线圈和所述次级线圈之间形成多圈错层耦合。
可选地,所述次级线圈还包括一个阻抗调节线圈,用于阻抗匹配。
可选地,包括两个金属层,各金属层的线圈个数不同且位置交错,所述初级线圈的多个线圈采用水平并联的方式,所述次级线圈的多个线圈采用水平并联结合垂直串联的方式,使所述初级线圈和所述次级线圈之间形成复合式耦合。
可选地,还包括跳线层,用于设置跳线连接线,以实现同一金属层的多个线圈的跳线连接。
本发明提供的复合式功率合成变压器,包括堆叠的多个金属层,每个金属层包括至少一个线圈,同一金属层的不同线圈依次由外向内排列,不同金属层的线圈之间通过线圈连接孔进行连接,位于多个金属层的多个线圈分别构成变压器的初级线圈和次级线圈,所述初级线圈的多个线圈和所述次级线圈的多个线圈交叉分布,以使所述初级线圈和所述次级线圈之间形成复合式耦合。与现有技术相比,初级线圈和次级线圈都采用组合线圈的结构,组合线圈的结构是一种多层金属结构,由多层线圈构成,这多层线圈之间既有并联,又有串联,能够提高线圈的Q值和线圈间的耦合系数,进而提高变压器转换效率,同时能够降低工艺变化对变压器性能的影响。
附图说明
图1为本发明的复合式功率合成变压器的一个实施例的结构示意图;
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