[发明专利]包括过模通孔结构的层叠封装件

说明书

包括过模通孔结构的层叠封装件。一种层叠封装件包括第一子封装件和层叠在第一子封装件上的第二子封装件。第一子封装件包括：用于连接的第一过模通孔(TMV)，其在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开；用于旁通的第一TMV，其在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开；以及第一重分布层(RDL)图案，其将第一半导体芯片连接至用于连接的第一TMV。第二子封装件包括：用于连接的第二TMV，其在Y轴方向上与第二半导体芯片间隔开；以及另一RDL图案，其将第二半导体芯片连接至用于连接的第二TMV。第二子封装件层叠在第一子封装件上，使得用于连接的第二TMV连接至用于旁通的第一TMV。

技术领域

本公开涉及半导体封装技术，并且更具体地，涉及包括过模通孔(through moldvia，TMV)结构的层叠封装件。

背景技术

近来，在各种电子系统中需要具有高密度且高速运行的半导体封装件。响应于这种需求，很多努力已经聚焦于增加具有多个通道的半导体封装件的带宽。另外，已开发出具有相对小的形状因子的结构的半导体封装件。因此，可以竖直地层叠多个半导体芯片以实现具有大存储容量的紧凑的半导体封装件。

发明内容

根据一实施方式，一种层叠封装件包括第一子封装件、层叠在第一子封装件上的第二子封装件以及与第一子封装件相对地层叠在第二子封装件上的第三子封装件。第一子封装件包括：第一半导体芯片；用于连接的第一过模通孔(TMV)，其在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开；用于旁通的第一TMV，其在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开；第二重分布层(RDL)图案，其将第一半导体芯片连接至第一外连接器；以及第三RDL图案，其将用于旁通的第一TMV连接至第二外连接器。第二子封装件包括：第二半导体芯片；用于旁通的第二TMV，其在Y轴方向上与第二半导体芯片间隔开并且连接至用于旁通的第一TMV；以及第四RDL图案，其将第二半导体芯片连接至用于连接的第一TMV。第三子封装件包括第三半导体芯片和第五RDL图案，第五RDL图案将第三半导体芯片连接至用于旁通的第二TMV。

根据另一实施方式，一种层叠封装件包括第一子封装件和层叠在第一子封装件上的第三子封装件。第一子封装件包括：第一半导体芯片；用于旁通的第一过模通孔(TMV)，其在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开；第二重分布层(RDL)图案，其将第一半导体芯片连接至第一外连接器；以及第三RDL图案，其将用于旁通的第一TMV连接至第二外连接器。第三子封装件包括第三半导体芯片和第五RDL图案，第五RDL图案将第三半导体芯片连接至用于旁通的第一TMV。

根据又一实施方式，一种层叠封装件包括第一子封装件和层叠在第一子封装件上的第三子封装件。第一子封装件包括：第一半导体芯片；用于连接的第一过模通孔(TMV)，其在X轴方向上与第一半导体芯片间隔开；用于旁通的第一TMV，其在Y轴方向上与第一半导体芯片间隔开；以及第一重分布层(RDL)图案，其将第一半导体芯片连接至用于连接的第一TMV。第三子封装件包括：第三半导体芯片；用于连接的第三TMV，其在Y轴方向上与第三半导体芯片间隔开；以及第五RDL图案，其将第三半导体芯片连接至用于连接的第三TMV。第三子封装件层叠在第一子封装件上，使得用于连接的第三TMV连接至用于旁通的第一TMV。