[发明专利]包括过模通孔结构的层叠封装件

权利要求书

1.一种层叠封装件，该层叠封装件包括：

第一子封装件；

第二子封装件，所述第二子封装件层叠在所述第一子封装件上；以及

第三子封装件，所述第三子封装件与所述第一子封装件相对地层叠在所述第二子封装件上，

其中，所述第一子封装件包括：

第一半导体芯片；

用于连接的第一过模通孔TMV，该用于连接的第一TMV在X轴方向上与所述第一半导体芯片间隔开；

用于旁通的第一TMV，所述用于旁通的第一TMV在Y轴方向上与所述第一半导体芯片间隔开；

第二重分布层RDL图案，该第二RDL图案将所述第一半导体芯片连接至第一外连接器；以及

第三RDL图案，所述第三RDL图案将所述用于旁通的第一TMV连接至第二外连接器，

其中，所述第二子封装件包括：

第二半导体芯片；

用于旁通的第二TMV，所述用于旁通的第二TMV在所述Y轴方向上与所述第二半导体芯片间隔开并且连接至所述用于旁通的第一TMV；以及

第四RDL图案，所述第四RDL图案将所述第二半导体芯片连接至所述用于连接的第一TMV，并且

其中，所述第三子封装件包括：

第三半导体芯片；以及

第五RDL图案，所述第五RDL图案将所述第三半导体芯片连接至所述用于旁通的第二TMV。

2.根据权利要求1所述的层叠封装件，

其中，所述第一子封装件还包括第一RDL图案，所述第一RDL图案连接在所述第一半导体芯片和所述用于连接的第一TMV之间，以通过所述用于连接的第一TMV和所述第一RDL图案而将所述第二RDL图案连接至所述第一半导体芯片。

3.根据权利要求2所述的层叠封装件，

其中，所述第一子封装件还包括第一模具层，所述第一模具层至少覆盖所述第一半导体芯片的侧表面，并且

其中，所述第一RDL图案从所述第一模具层的第一表面延伸至所述第一半导体芯片的表面上。

4.根据权利要求3所述的层叠封装件，

其中，所述第一RDL图案被设置在所述第二RDL图案上方，以与所述第二RDL图案的一部分竖直交叠，并且

其中，所述第一RDL图案位于与所述第二RDL图案的水平不同的水平处。

5.根据权利要求3所述的层叠封装件，其中，所述用于连接的第一TMV和所述用于旁通的第一TMV二者基本穿透所述第一模具层，以从所述第一模具层的所述第一表面延伸并且延伸至到达所述第一模具层的与所述第一RDL图案相对的第二表面。

6.根据权利要求1所述的层叠封装件，其中，所述第三RDL图案与所述用于连接的第一TMV和所述第一半导体芯片间隔开且电隔离。

7.根据权利要求1所述的层叠封装件，其中，所述用于旁通的第一TMV与所述第一半导体芯片电断连且电隔离。

8.根据权利要求1所述的层叠封装件，

其中，所述第二子封装件还包括用于连接的第二TMV，所述用于连接的第二TMV在所述X轴方向上与所述第二半导体芯片间隔开并且连接至所述用于连接的第一TMV，并且

其中，所述第四RDL图案延伸为将所述第二半导体芯片连接至所述用于连接的第二TMV。

9.根据权利要求8所述的层叠封装件，其中，所述第三子封装件还包括用于旁通的第三TMV，所述用于旁通的第三TMV在所述X轴方向上与所述第三半导体芯片间隔开并且连接至所述用于连接的第二TMV。

10.根据权利要求9所述的层叠封装件，

其中，所述第三子封装件还包括用于连接的第三TMV，所述用于连接的第三TMV在所述Y轴方向上与所述第三半导体芯片间隔开并且连接至所述用于旁通的第二TMV，并且

其中，所述第五RDL图案将所述第三半导体芯片连接至所述用于连接的第三TMV。