[发明专利]功率模块及其封装方法

说明书

本发明提供一种功率模块及其封装方法。该一种功率模块，包括引线框架、第一铜基板、第二铜基板及芯片，所述第一铜基板与所述引线框架连接并相互导通，所述第二铜基板与所述引线框架连接并相互导通，所述芯片的第一侧面上的电极焊接在所述第一铜基板的芯片焊盘上或所述第二铜基板的芯片焊盘上，所述芯片夹设于所述第一铜基板与所述第二铜基板之间。根据本发明的一种功率模块及其封装方法，实现功率模块的双面散热，有效控制功率模块的温升，保证功率模块的工作性能。

技术领域

本发明属于家电电子设备技术领域，具体涉及一种功率模块及其封装方法。

背景技术

智能功率模块简称IPM，把高压驱动电路和功率开关器件集成在一起，是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。与传统的分立方案相比，智能功率模块因其开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护作用、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等特点，在电力电子领域得到了越来越广泛的应用，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频家电的一种理想电力电子器件，但目前的IPM采用单散热的方式已经远远不能满足高功率密度导致模块的温升的降低需求。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于提供一种功率模块及其封装方法，实现功率模块的双面散热，有效控制功率模块的温升，保证功率模块的工作性能。

为了解决上述问题，本发明提供一种功率模块，包括引线框架、第一铜基板、第二铜基板及芯片，所述第一铜基板与所述引线框架连接并相互导通，所述第二铜基板与所述引线框架连接并相互导通，所述芯片的第一侧面上的电极焊接在所述第一铜基板的芯片焊盘上或所述第二铜基板的芯片焊盘上，所述芯片夹设于所述第一铜基板与所述第二铜基板之间。

优选地，所述第一铜基板具有第一印制线，所述引线框架具有引脚印制线，所述第一印制线与相应的所述引脚印制线电连接，且所述第一铜基板焊接在所述引线框架上；所述第二铜基板具有第二印制线，所述第二印制线与相应的所述引脚印制线电连接，且所述第二铜基板焊接在所述引线框架上。

优选地，所述引线框架包括第一引脚和第二引脚，所述第一引脚设置有第一引脚印制线，所述第二引脚设置有第二引脚印制线，所述第一铜基板焊接在所述第一引脚上，所述第二铜基板焊接在所述第二引脚上。

优选地，所述第一铜基板与所述第一引脚采用回流焊方式焊接；和/或，所述第二铜基板与所述第二引脚采用回流焊方式焊接。

优选地，所述芯片采用倒装方式与所述第一铜基板和/或第二铜基板焊接。

优选地，所述芯片包括1块MIC芯片、6块IGBT芯片、6块FRD芯片。

本发明还提供一种功率模块的封装方法，包括以下步骤：

步骤S10：将引线框架的第一引脚放置在第一铜基板的引线框架焊盘上并进行焊接；

步骤S20：将芯片的第一侧面朝向所述第一铜基板的芯片焊盘，然后将所述芯片焊接在所述第一铜基板的芯片焊盘上；

步骤S30：将第二铜基板的引线框架焊盘放置在所述引线框架的第二引脚上并进行焊接。

优选地，在所述步骤S10与S20之间还包括步骤S12：应用第一钢网对所述第一铜基板的引线框架焊盘进行锡膏印制，其中，所述第一钢网的丝印图案为对应于所述芯片的电极的第一预定形状。

优选地，在所述步骤S10之前还包括S01：应用第二钢网对所述第一铜基板的引线框架焊盘进行锡膏印制，其中，所述第二钢网的丝印图案为对应于所述第一引脚的第二预定形状。

优选地，在所述S20与S30之间还包括步骤S22：应用第三钢网对所述第二铜基板的引线框架焊盘进行锡膏印制，其中，所述第三钢网的丝印图案为对应于所述第二引脚的第三预定形状。