[发明专利]半导体装置

说明书

提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

现在，以移动电话终端为代表的移动通信系统从第四代(4G)移至第五代(5G)。在第五代移动通信系统中，与第四代移动通信系统相比使用较高的频带。随着频率提高，高频电路的功率损耗也增大，所以对于作为第五代移动通信系统用的移动电话终端的主要部件的高频功率放大器，进一步的高增益化的要求增强。高频功率放大器一般而言使用异质结双极晶体管(HBT)。

已知为了改善高频特性而使基极集电极间电容降低的HBT(例如，专利文献1)。专利文献1所公开的HBT包括层叠在基板上的集电极层、基极层以及发射极层。集电极层具有由InGaP构成的下层、由GaAs构成的中层以及由InGaP构成的上层三层结构。在基极层上配置基极电极，在发射极层上配置发射极电极。

除去位于基极电极的正下方的集电极层的中层，上层的外周部分与中层的边缘相比向外侧突出为帽形。该上层与其上的基极层的边缘相比向外侧突出。通过除去位于基极电极的正下方的集电极层的中层，降低基极集电极间电容。

专利文献1：日本特开2000－156382号公报

根据本申请的发明者们的考察，可知为了提供专利文献1所公开的HBT作为高频功率放大器用的器件，确保足够的制造成品率较困难。

发明内容

本发明的目的在于提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。

本发明的第一观点的半导体装置具有包括层叠在基板上的第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管，

上述第一集电极层的组成与上述第二集电极层的组成不同，

在俯视时，上述第一集电极层与上述第二集电极层的界面的边缘比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，上述第二集电极层的上表面的边缘与上述基极层的下表面的边缘一致或者比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。

由于第一集电极层与第二集电极层的界面的边缘比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，所以能够使基极集电极间电容降低。由于第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘相比不突出到外侧，所以能够以足够的机械强度支承第二集电极层。其结果，能够抑制起因于第二集电极层的机械强度的不足的制造成品率的降低。

本发明的第二观点的半导体装置除了第一观点的半导体装置的构成之外，

还具有上述第二集电极层为包含磷的组成这样的特征。

利用第一集电极层与第二集电极层的蚀刻特性的不同，能够对第一集电极层的不需要的部分进行蚀刻除去。

本发明的第三观点的半导体装置除了第一或者第二观点的半导体装置的构成之外，

还具有在俯视时，上述第一集电极层的上表面的边缘以及上述第二集电极层的上表面以及下表面的边缘均比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，上述第二集电极层的下表面的边缘比上述第一集电极层的上表面的边缘靠近内侧配置这样的特征。

通过利用第一集电极层与第二集电极层的蚀刻特性的不同，对第二集电极层的不需要的部分进行蚀刻除去，能够得到上述构成。

本发明的第四观点的半导体装置除了第一～第三观点的半导体装置的构成之外，