[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201811453223.8 | 申请日: | 2018-11-30 |
公开(公告)号: | CN109994540B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 大部功;梅本康成;柴田雅博;小屋茂树;近藤将夫;筒井孝幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01L29/08 | 分类号: | H01L29/08;H01L29/737 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其中,
具有包括层叠在基板上的第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管,
上述第一集电极层的组成与上述第二集电极层的组成不同,
在俯视时,上述第一集电极层与上述第二集电极层的界面的边缘比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置,上述第二集电极层的上表面的边缘与上述基极层的下表面的边缘一致或者比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置,
上述基极层比上述第二集电极层厚,且上述基极层与上述第二集电极层接触,
上述第二集电极层比上述基极层薄以显现隧穿效应。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
上述第二集电极层为包含磷的组成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
在俯视时,上述第一集电极层的上表面的边缘以及上述第二集电极层的上表面和下表面的边缘均比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置,上述第二集电极层的下表面的边缘比上述第一集电极层的上表面的边缘靠近内侧配置。
4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,
在俯视时,上述第一集电极层的上表面的边缘以及上述第二集电极层的上表面和下表面的边缘均比上述基极层的下表面的边缘靠近内侧配置,上述第二集电极层的下表面的边缘比上述第一集电极层的上表面的边缘靠近内侧配置。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的半导体装置,其中,
在俯视时,上述基极层的上表面的边缘比上述发射极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
6.根据权利要求1~4中任意一项所述的半导体装置,其中,还具有:
子集电极层,其配置在上述基板与上述第一集电极层之间,成为向上述第一集电极层流经集电极电流的电流路;以及
蚀刻终止层,其配置在上述子集电极层与上述第一集电极层之间,包括具有与上述第二集电极层相同的蚀刻特性的半导体,
在俯视时,上述蚀刻终止层的上表面的边缘比上述第一集电极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
上述基极层包含从由GaAs、AlGaAs、InGaAs、GaAsSb、GaAsBi、以及GaInNAs构成的组中选择出的一个化合物半导体作为主成分,
上述发射极层包含InGaP作为主成分。
8.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,
上述第一集电极层以及上述子集电极层包含GaAs作为主成分,上述第二集电极层以及上述蚀刻终止层包含InGaP作为主成分。
9.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,
上述第一集电极层以及上述子集电极层包含GaAs作为主成分,上述第二集电极层包含InGaPN作为主成分,上述蚀刻终止层包含InGaP作为主成分。
10.根据权利要求7所述的半导体装置,其中,
上述第一集电极层以及上述子集电极层包含GaAs作为主成分,上述第二集电极层以及上述蚀刻终止层包含InGaPN作为主成分。
11.根据权利要求1~4中任意一项所述的半导体装置,其中,
还具有从上述基板观察配置在比上述发射极层高的位置并与上述发射极层直流连接的凸块。
12.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,
还具有配置在上述子集电极层与上述蚀刻终止层之间且蚀刻特性与上述第一集电极层相同的第三集电极层,
在俯视时,上述第三集电极层的上表面的边缘比上述第一集电极层的下表面的边缘靠近外侧配置。
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