[发明专利]一种太阳能多晶硅的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能级多晶硅的制备方法，其特征在于：其按以下步骤完成，

(1)、破磨：使用硅含量为99.5wt％，Al含量440ppmw，Fe含量1300ppmw，Ca含量320ppmw的冶金级硅为原料进行破磨，并采用磁铁除去破碎球磨过程中带入的铁杂质，然后进行筛分，得硅粉粒度为50-150目的硅粉物料；

(2)、酸浸：用浓度为2mol/l的盐酸对硅粉物料进行酸浸处理，在50-60℃的水浴锅内浸出1天，然后采用真空抽滤将酸液与硅粉物料分开，并使用蒸馏水清洗3次，然后再用浓度为2mol/l的硝酸对硅粉物料进行酸浸处理，在50-60℃的水浴锅内浸出1天，再采用真空抽滤将酸液与硅粉物料分开，并使用蒸馏水清洗3次，将酸浸出后的溶液采用硝石灰进行中和处理，达到排放要求，经处理后的硅粉物料再使用浓度为3mol/l的氢氟酸处理12小时，并使用蒸馏水清洗5次，得到粉纯度为99.95％的硅粉；

(3)、将硅粉在80000Pa真空条件以及100℃温度下干燥24小时，这时硅粉中含水量为3％；

(4)、干燥后的物料加入真空炉内进行精炼，容器为石墨坩埚，利用感应加热将物料温度升高到1450-1500℃，炉子真空度为80000Pa，然后通入含量为混合气体总量的1-15wt％水蒸汽的氩气等离子体，氩气流量为10l/min，压力为90000Pa，在该条件下熔炼4小时，然后关闭等离子体，升高炉子的真空度，保持炉子真空度为0.001Pa，炉子温度仍为1450-1500℃，并保温6小时，同时进行真空脱气处理，最后进行定向凝固处理，炉子压力为0.001Pa，硅熔体部分的温度仍维持在1450-1500℃，冷却速率0.8毫米/分钟，待炉子降到室温后将冷凝后的硅进行切头处理，得到太阳能级多晶硅产品。