[发明专利]一种紫光LED外延结构的制备方法及其结构在审
| 申请号： | 201811452087.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109585621A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 武杰;易翰翔;郝锐;李玉珠;吴光芬 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;郝传鑫 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延结构 紫光LED 生长 制备 蓝宝石 温度调节 超晶格 上表面 衬底 量子阱结构 材料生长 发光效率 应力影响 量子阱 周期数 阻挡层 | ||
1.一种紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)蓝宝石衬底置于MOCVD中生长；(2)将温度调节至550°，所述蓝宝石衬底的上表面生长出AlN buffer层；(3)将温度调节至1050～1100°，所述AlN buffer层的上表面由下至上依次生长出高温GaN缓冲层、N-型AlGaN阻挡层和N-GaN层；(4)生长超晶格InGaN层，其中，所述超晶格InGaN层的周期数为3～10层；(5)生长Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层量子阱结构。
2.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层的周期数为5～20层。
3.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱结构尺寸如下：厚度为20～40nm，阱宽为3～5nm，垒17～35nm。
4.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述量子阱结构中Al组分中的X1在0～0.1之间渐变，所述垒中si为delta掺杂。
5.根据权利要求1所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，在步骤(5)后还包括步骤(6)生长GaN/Alx3Ga1-x3N周期数为3～10的LB层。
6.根据权利要求5所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述LB层中X3的取值范围为0.1～0.2。
7.根据权利要求5所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，在步骤(6)后还包括步骤(7)生长P型AlGaN/InGaN周期数为6～15的超晶格电子阻挡层。
8.根据权利要求7所述的紫光LED外延结构的制备方法，其特征在于，在步骤(7)后还包括步骤(8)生长高浓度掺杂的P-GaN层。
9.一种紫光LED外延结构，其特征在于，由下至上依次包括：蓝宝石衬底、AlN buffer层、高温GaN缓冲层、N-型AlGaN阻挡层，N-GaN层和超晶格InGaN层。
10.根据权利要求9所述的紫光LED外延结构，其特征在于，所述超晶格InGaN层的上表面由下至上依次包括Alx1Iny1Ga1-x1-y1N/Alx2Iny2Ga1-x2-y2N层量子阱结构、LB层、超晶格电子阻挡层和高浓度掺杂的P-GaN层，其中，所述量子阱结构尺寸如下：厚度为20～40nm，阱宽为3～5nm，垒17～35nm，所述量子阱结构中Al组分中的X1在0～0.1之间渐变，所述垒中si为delta掺杂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东德力光电有限公司，未经广东德力光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811452087.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光装置及其制作方法
- 下一篇：一种紫外LED外延结构及其生长方法
