[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

一种制造半导体器件的方法可以包括在基板上形成鳍型结构、使用第一工艺在鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜、使用与第一工艺不同的第二工艺在界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜、以及使用与第一工艺和第二工艺不同的第三工艺使栅极电介质膜致密化。第二厚度可以大于第一厚度，并且在栅极电介质膜的致密化之后，界面膜的第一厚度可以不变。

技术领域

本公开涉及制造半导体器件的方法，更具体地，涉及制造包括至少一个鳍型场效应晶体管(FinFET)的半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件的尺寸已经减小并且正在进一步减小，从而实现高度集成、高容量的半导体器件。随着各半导体器件的尺寸减小并且半导体器件之间的距离减小而增加半导体器件的集成度，每单位面积的半导体器件密度增大。然而，当具有二维结构的半导体器件的尺寸减小时，可能发生水平沟道长度减小的短沟道效应。为了防止短沟道效应，可以使用FinFET。由于FinFET的结构特性，FinFET可以通过确保有效沟道长度而防止短沟道效应，并且FinFET通过增大栅极宽度而增加工作电流的大小。

发明内容

本公开提供了通过其可提高电特性和工艺效率的制造半导体器件的方法。

本发明构思的一些方面提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括在基板上形成鳍型结构、使用第一工艺在鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜、使用与第一工艺不同的第二工艺在界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜、以及使用与第一工艺和第二工艺不同的第三工艺使栅极电介质膜致密化。第二厚度可以大于第一厚度；换句话说，栅极电介质膜的厚度可以大于界面膜的厚度。在栅极电介质膜的致密化之后，界面膜的第一厚度可以不变。

本发明构思的一些方面提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括在其上形成鳍型结构的基板上形成多层电介质膜结构。多层电介质膜结构可以具有堆叠在其中的多个电介质膜。该方法还可以包括对基板执行氧等离子体处理、以及在已经经历了氧等离子体处理的多层电介质膜结构上形成栅极线。在执行氧等离子体处理期间，鳍型结构可以不被损耗。

本发明构思的一些方面提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括在基板上形成鳍型结构、在鳍型结构上形成源极/漏极区、在鳍型结构上形成具有第一厚度的第一硅氧化物膜、以及在第一硅氧化物膜上形成具有第二厚度的第二硅氧化物膜。第二厚度可以大于第一厚度。该方法还可以包括对基板执行等离子体处理、以及在鳍型结构上形成栅极线以使其沿交叉鳍型结构的方向延伸并面对源极/漏极区。

附图说明

本公开以及本发明构思在此公开的示例实施方式将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解，附图中：

图1A和1B是使用根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法所制造的半导体器件的概念图；

图2是使用根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法所制造的半导体器件的布局图；

图3是使用根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法所制造的半导体器件的剖面透视图；

图4是根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法的流程图；

图5A至5G是根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法中的顺序阶段的剖视图；

图6是显示使用根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法所制造的半导体器件的特性的曲线图；

图7是根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法中使用的等离子体处理设备的示意图；以及

图8是包括使用根据本发明构思的一些实施方式的制造半导体器件的方法所制造的半导体器件的系统的框图。

具体实施方式