[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成鳍型结构；

使用第一工艺在所述鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜；

使用与所述第一工艺不同的第二工艺在所述界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜，其中所述第二厚度大于所述第一厚度；以及

使用与所述第一工艺和所述第二工艺不同的第三工艺使所述栅极电介质膜致密化，

其中在所述栅极电介质膜的致密化之后，所述界面膜的所述第一厚度不变。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一工艺是热氧化，所述第二工艺是原子层沉积，所述第三工艺是氧等离子体处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二工艺期间的工艺温度和所述第三工艺期间的工艺温度均低于所述第一工艺期间的工艺温度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三工艺期间的所述工艺温度为300℃到700℃。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述氧等离子体处理通过将含氧气体注入到惰性气体中而提供工艺气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述惰性气体是氦气(He)，并且所述含氧气体是选自O₂和N₂O中的一种。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述工艺气体中O₂/(He+O₂)的值最大为0.5。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述氧等离子体处理是远程氧等离子体方法和直接氧等离子体方法中的一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述栅极电介质膜的致密化之后没有所述鳍型结构的损耗。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述界面膜和所述栅极电介质膜由相同的材料形成。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在其上形成鳍型结构的基板上形成多层电介质膜结构，其中所述多层电介质膜结构包括堆叠的多个电介质膜；

对所述基板执行氧等离子体处理；以及

在已经经历了所述氧等离子体处理的所述多层电介质膜结构上形成栅极线，

其中在执行所述氧等离子体处理期间，所述鳍型结构不被损耗。

12.根据权利要求11所述的方法，其中执行所述氧等离子体处理包括在300℃到700℃的温度下执行所述氧等离子体处理。

13.根据权利要求11所述的方法，其中执行所述氧等离子体处理包括使用氧自由基执行所述氧等离子体处理。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述多层电介质膜结构包括下电介质膜和上电介质膜，以及其中所述下电介质膜的厚度小于所述上电介质膜的厚度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中用于形成所述下电介质膜的工艺温度高于用于形成所述上电介质膜的工艺温度。

16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成鳍型结构；

在所述鳍型结构上形成源极/漏极区；

在所述鳍型结构上形成具有第一厚度的第一硅氧化物膜；

在所述第一硅氧化物膜上形成具有第二厚度的第二硅氧化物膜，其中所述第二厚度大于所述第一厚度；

对所述基板执行等离子体处理；以及

在所述鳍型结构上形成栅极线，其中所述栅极线沿交叉所述鳍型结构的方向延伸，以及其中所述栅极线面对所述源极/漏极区。