[发明专利]一种探测器及其制作方法有效
申请号: | 201811446578.4 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109633731B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 朱翀煜;金利波;方志强;岳欢 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;G01K7/01 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种探测器及其制作方法,所述制作方法包括:提供一基板,所述基板包括像素区域,及位于所述像素区域外围的温度探测区域;于所述像素区域制作若干呈阵列排布的像素单元,于所述温度探测区域制作至少一个温度探测器;其中所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接,通过数据线与读出焊盘电连接;所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。通过本发明解决了现有X射线平板探测器因在读出电路中集成温度传感器时存在温度传感器数量少、只能精确探测局部问题,从而无法探测TFT面板温度的问题。
技术领域
本发明涉及探测器领域,特别是涉及一种探测器及其制作方法。
背景技术
随着社会的发展和科学技术的进步,X射线平板探测器被广泛地应用到各个领域,如医学影像、工业探伤、安检等;特别是在医学影像领域,X射线平板探测器有着极其重要的地位。
X射线平板探测器由许多个像素单元集成起来,每个像素单元均包括一个光电二极管(PD:photodiode)以及一个薄膜晶体管(TFT)。在X射线平板探测器的工作过程中,温度对PD以及TFT均有影响:温度过高时,可能造成图像失校正以及某些功能的损坏,直接影响着图像的质量,故需要实时监测X射线平板探测器工作时段的内部温度。
现有X射线平板探测器一般会在X射线平板探测器内的读出电路中集成温度传感器,从而获取X射线平板探测器工作过程中的内部温度信息,以便实现温度失校正的预防以及避免温度过高造成功能失效等问题。但由于温度传感器的体积较大,为了减小X射线平板探测器的面积,故此种方案一般集成的温度传感器数量较少(如大多数情况下只有一个),且只能精确探测局部温度,而无法反映整个探测器内部的温度,特别是TFT面板的温度,而TFT面板的温度是引起温度失校正的重要原因。
鉴于此,有必要设计一种新的探测器及其制作方法用以解决上述技术问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种探测器及其制作方法,用于解决现有X射线平板探测器因在读出电路中集成温度传感器时存在温度传感器数量少、只能精确探测局部问题,从而无法探测TFT面板温度的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种探测器的制作方法,所述制作方法包括:
提供一基板,所述基板包括像素区域,及位于所述像素区域外围的温度探测区域;
于所述像素区域制作若干呈阵列排布的像素单元,于所述温度探测区域制作至少一个温度探测器;
其中所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接,通过数据线与读出焊盘电连接;所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。
可选地,所述温度探测器与所述像素单元同时制作。
可选地,所述温度探测器包括金属导线和二极管中的至少一种。
可选地,在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括金属导线时,所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作;在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括二极管时,所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作;在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括金属导线和二极管时,所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作,所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作。
可选地,在所述温度探测器包括金属导线时,所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作。
本发明还提供了一种探测器,所述探测器包括:
基板,包括像素区域及位于所述像素区域外围的温度探测区域;
若干呈阵列排布的像素单元,形成于所述像素区域内;
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