[发明专利]一种探测器及其制作方法有效
申请号: | 201811446578.4 | 申请日: | 2018-11-29 |
公开(公告)号: | CN109633731B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 朱翀煜;金利波;方志强;岳欢 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | G01T1/24 | 分类号: | G01T1/24;G01K7/01 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 探测器 及其 制作方法 | ||
1.一种探测器的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供一基板,所述基板包括像素区域,及位于所述像素区域外围的温度探测区域;
于所述像素区域制作若干呈阵列排布的像素单元,于所述温度探测区域制作至少一个温度探测器;
其中所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接,通过数据线与读出焊盘电连接;所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。
2.根据权利要求1所述的探测器的制作方法,其特征在于,所述温度探测器与所述像素单元同时制作。
3.根据权利要求1或2所述的探测器的制作方法,其特征在于,所述温度探测器包括金属导线和二极管中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的探测器的制作方法,其特征在于,在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括金属导线时,所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作;在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括二极管时,所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作;在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括金属导线和二极管时,所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作,所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作。
5.根据权利要求4所述的探测器的制作方法,其特征在于,在所述温度探测器包括金属导线时,所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作。
6.一种探测器,其特征在于,所述探测器包括:
基板,包括像素区域及位于所述像素区域外围的温度探测区域;
若干呈阵列排布的像素单元,形成于所述像素区域内;
至少一个温度探测器,形成于所述温度探测区域内;
其中所述像素单元通过扫描线与驱动焊盘电连接,通过数据线与读出焊盘电连接;所述温度探测器通过读温线与所述驱动焊盘和所述读出焊盘中的至少一个电连接。
7.根据权利要求6所述的探测器,其特征在于,所述温度探测器与所述像素单元同时制作。
8.根据权利要求6或7所述的探测器,其特征在于,所述温度探测器包括金属导线和二极管中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的探测器,其特征在于,在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括金属导线时,所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作;在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括二极管时,所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作;在所述温度探测器与所述像素单元同时制作,并且所述温度探测器包括金属导线和二极管时,所述金属导线与所述像素单元中若干金属结构中的至少一个同时制作,所述二极管与所述像素单元中的光电二极管同时制作。
10.根据权利要求9所述的探测器,其特征在于,在所述温度探测器包括金属导线时,所述金属导线与所述像素单元中的栅极、源漏极和公共电极中的至少一个同时制作。
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