[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号: | 201811445444.0 | 申请日: | 2018-11-29 |
| 公开(公告)号: | CN111244307B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
| 发明(设计)人: | 王劲;曹蔚然;钱磊 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
| 地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述量子点发光二极管包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本发明提供的量子点发光二极管结构简单,叠层数少,有利于降低启动电压和工艺繁琐度,并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用,能有效阻绝水和氧的侵入,从而提高量子点发光二极管的使用寿命。
技术领域
本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
目前,量子点发光二极管(QLED) 器件多采用类似三明治的层叠结构,通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极及封装层。其制备则主要采用溶液加工与真空蒸镀相结合实现,其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层主要通过溶液加工工艺实现,金属电极则是通过真空蒸镀制备。
显而易见的是,QLED器件结构中层叠数多,厚度变厚,工序增多,导致启动电压较大,制备工艺繁琐。真空蒸镀工艺则由于设备投资和维护费用高昂,材料浪费严重,因此成本居高不下;此外,量子点发光层对水和氧气非常敏感,水、氧气的侵入严重影响器件寿命和效率,因此还需要对功能层进行封装密封。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决现有量子点发光二极管层叠数多、厚度过厚,导致启动电压较大的问题。
本发明的技术方案如下:
一种量子点发光二极管,其中,包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。
一种量子点发光二极管的制备方法,其中,包括步骤:
提供一基板以及一种由导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆;
在所述基板上沉积电极层;
在所述电极层表面沉积量子点发光层;
在所述量子点发光层表面沉积所述导电胶浆形成耦合层,将所述耦合层进行固化制得量子点发光二极管。
有益效果:相对于传统量子点发光二极管,本发明提供一种包括耦合层的量子点发光二极管,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本发明提供的量子点发光二极管结构简单,叠层数少,有利于降低启动电压和工艺繁琐度,并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用,能有效阻绝水和氧的侵入,从而提高量子点发光二极管的使用寿命。
附图说明
图1为本发明实施例1中量子点发光二极管的结构示意图。
图2为本发明实施例2中量子点发光二极管的结构示意图。
图3为本发明实施例3中量子点发光二极管的结构示意图。
图4为本发明实施例4中量子点发光二极管的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管,其包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。
本实施例中的量子点发光二极管结构简单,叠层数少,有利于降低启动电压和工艺繁琐度,并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用,在不需要进行额外密封处理情况下,所述量子点发光二极管仍能保持对水氧的有效阻隔,从而提高量子点发光二极管的使用寿命。
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