[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811445444.0 申请日: 2018-11-29
公开(公告)号: CN111244307B 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 王劲;曹蔚然;钱磊 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法,其中,所述量子点发光二极管包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本发明提供的量子点发光二极管结构简单,叠层数少,有利于降低启动电压和工艺繁琐度,并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用,能有效阻绝水和氧的侵入,从而提高量子点发光二极管的使用寿命。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

目前,量子点发光二极管(QLED) 器件多采用类似三明治的层叠结构,通常包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极及封装层。其制备则主要采用溶液加工与真空蒸镀相结合实现,其中空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层主要通过溶液加工工艺实现,金属电极则是通过真空蒸镀制备。

显而易见的是,QLED器件结构中层叠数多,厚度变厚,工序增多,导致启动电压较大,制备工艺繁琐。真空蒸镀工艺则由于设备投资和维护费用高昂,材料浪费严重,因此成本居高不下;此外,量子点发光层对水和氧气非常敏感,水、氧气的侵入严重影响器件寿命和效率,因此还需要对功能层进行封装密封。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法,旨在解决现有量子点发光二极管层叠数多、厚度过厚,导致启动电压较大的问题。

本发明的技术方案如下:

一种量子点发光二极管,其中,包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。

一种量子点发光二极管的制备方法,其中,包括步骤:

提供一基板以及一种由导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆;

在所述基板上沉积电极层;

在所述电极层表面沉积量子点发光层;

在所述量子点发光层表面沉积所述导电胶浆形成耦合层,将所述耦合层进行固化制得量子点发光二极管。

有益效果:相对于传统量子点发光二极管,本发明提供一种包括耦合层的量子点发光二极管,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。本发明提供的量子点发光二极管结构简单,叠层数少,有利于降低启动电压和工艺繁琐度,并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用,能有效阻绝水和氧的侵入,从而提高量子点发光二极管的使用寿命。

附图说明

图1为本发明实施例1中量子点发光二极管的结构示意图。

图2为本发明实施例2中量子点发光二极管的结构示意图。

图3为本发明实施例3中量子点发光二极管的结构示意图。

图4为本发明实施例4中量子点发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。

本发明实施例提供一种量子点发光二极管,其包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层,所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆。

本实施例中的量子点发光二极管结构简单,叠层数少,有利于降低启动电压和工艺繁琐度,并且所述耦合层还可对量子点发光层起到密封作用,在不需要进行额外密封处理情况下,所述量子点发光二极管仍能保持对水氧的有效阻隔,从而提高量子点发光二极管的使用寿命。

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