[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括层叠设置的基板、电极层、量子点发光层以及耦合层，所述耦合层的材料为导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆，其中，所述耦合层同时作为封装层和电极层，所述耦合层的厚度为3-10μm，所述导电材料为包括纳米金属颗粒和n型半导体纳米材料的第一混合物，或包括纳米金属颗粒和p型半导体纳米材料的第二混合物，所述胶黏剂为光固化型胶水、热固化型胶水和厌氧固化型胶水中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层与耦合层之间设置有电子功能层或空穴功能层中的一种。

3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述n型半导体纳米材料为ZnO、TiO₂、SnO、CsF、LiF、FeF₂、MgO和Alq₃中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述p型半导体纳米材料为NiO和MoO₃中的一种或两种。

5.根据权利要求1-4任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米金属颗粒为Ag、Al、Cu、Au和Ca中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述导电胶浆中，导电材料与胶黏剂的重量比为0.01-10:1。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一基板以及一种由导电材料分散在胶黏剂中形成的导电胶浆，其中，所述导电材料为纳米金属颗粒和n型半导体纳米材料组成的第一混合物，或纳米金属颗粒和p型半导体纳米材料组成的第二混合物，所述胶黏剂为光固化型胶水、热固化型胶水和厌氧固化型胶水中的一种或多种；

在所述基板上沉积电极层；

在所述电极层表面沉积量子点发光层；

在所述量子点发光层表面沉积所述导电胶浆形成耦合层，将所述耦合层进行固化制得量子点发光二极管，其中，所述耦合层同时作为封装层和电极层，所述耦合层的厚度为3-10μm。