[发明专利]用于异步DRAM刷新的推测执行标签

说明书

本公开提供了用于异步DRAM刷新的推测执行标签。半导体封装装置的实施例可以包括跟踪对处理器高速缓存行的修改以及设置指示符以指示修改是否与事务相关的技术。公开并要求保护其他实施例。

技术领域

实施例总体上涉及存储器系统。更具体地，实施例涉及用于异步动态随机存取存储器(DRAM)刷新的推测执行标签。

背景技术

异步DRAM刷新(ADR)是指DRAM自刷新，其可以在失去电力的情况下帮助将数据保持在安全状态。例如，某些设备可能支持ADR，其中设备向存储器控制器触发硬件中断，以冲刷(flush)写入受保护的数据缓冲器，并且将DRAM置于自刷新。然后可以将DRAM备份到闪速存储器。

附图说明

通过阅读以下说明书和所附权利要求，并且参考以下附图，实施例的各种优点对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：

图1是根据实施例的电子处理系统的示例的框图；

图2是根据实施例的半导体封装装置的示例的框图；

图3A至图3C是根据实施例的跟踪高速缓存行修改的方法的示例的流程图；

图4是根据实施例的存储器装置的示例的框图；

图5是根据实施例的处理器高速缓存的示例的说明性图；

图6是根据实施例的电子处理系统的另一示例的框图；以及

图7是根据实施例的冲刷处理器高速缓存的方法的示例的流程图。

具体实施方式

本文描述的各种实施例可以包括存储器组件和/或与存储器组件的接口。这样的存储器组件可以包括易失性存储器和/或非易失性存储器。非易失性存储器可以是不要求电力来维持介质存储的数据的状态的存储介质。在一个实施例中，存储器设备可以包括块可寻址存储器设备，例如，基于NAND或NOR技术的那些存储器设备。存储器设备还可以包括下一代非易失性设备，例如，三维(3D)交叉点存储器设备，或其他字节可寻址的原位写入非易失性存储器设备。在一个实施例中，存储器设备可以是或可以包括：使用硫属化物玻璃的存储器设备，多阈值级别NAND闪速存储器，NOR闪速存储器，单级或多级相变存储器(PCM)，电阻存储器，纳米线存储器，铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，反铁电存储器，包含忆阻器技术的磁阻随机存取存储器(MRAM)存储器，包括金属氧化物基极、氧空位基极和导电桥随机存取存储器(CB-RAM)的电阻存储器，或自旋转移力矩(STT)-MRAM，基于自旋电子磁结存储器的设备，基于磁隧道结(MTJ)的设备，基于DW(畴壁)和SOT(自旋轨道转移)的设备，基于晶闸管的存储器设备，或上述设备中的任何设备的组合，或其他存储器。存储器设备可以指管芯本身和/或封装的存储器产品。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器组件可以符合联合电子设备工程委员会(JEDEC)颁布的一个或多个标准，例如，JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其他合适的标准(本文引用的JEDEC标准可在jedec.org处获得)。