[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201811441161.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109273540A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李刚;沈鸿烈;王天齐;彭塞奥;姚婷婷;金克武 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司;南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0445 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 阻挡层 膜层 铜铟镓硒薄膜太阳能电池 金属层 制备 铜铟镓硒薄膜电池 玻璃基板表面 玻璃基板顶面 磁控溅射工艺 薄膜电池 玻璃基板 依次层叠 溅镀 | ||
1.铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极，其特征在于，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层；
所述第一阻挡层为厚度10～200nm 的SiN膜层或SiOxNy膜层；
所述金属层为厚度20～200nm的Al层或Cu层；
所述第二阻挡层为厚度5～50nm 的MoN膜层或TiN膜层；
所述内Mo层的厚度为100～800nm，所述外Mo层的厚度为20～200nm。
2.铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗玻璃基板，去除玻璃基板表面的污垢；
S2、采用磁控溅射工艺，在玻璃基板表面溅镀10～200nm 厚度的第一阻挡层，第一阻挡层为SiN膜层或SiOxNy膜层,溅射的工作气体为氩气，反应气体为氮气，溅射功率密度为0.5～4.0W/cm2，氩气流量为100～200sccm，氮气流量为10～150sccm；
S3、采用磁控溅射工艺，在第一阻挡层表面溅镀20～200nm厚度的金属层，金属层为Al层或Cu层；溅射功率密度为0.5～5.0W/cm2，氩气流量为100～200sccm；
S4、采用磁控溅射工艺，在金属层表面溅镀100～800nm厚度的内Mo层；
S5、采用磁控溅射工艺，在内Mo层表面溅镀5～50nm 厚度的第二阻挡层, 第二阻挡层为MoN膜层或TiN膜层；
S6、采用磁控溅射工艺，在第二阻挡层表面溅镀20～200nm厚度的外Mo层，得到权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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