[发明专利]一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法，第一基板块、第二基板块、芯片和保护层，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块。本发明能够实现减小产品误差，且不会有废水产生，以及可百分之百阻隔模压胶渗入背电极，甚至在切割刀片上的损耗也能获得改善。

技术领域

本发明属于电子元器件制造技术领域，具体涉及一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法。

背景技术

现有传统的二极管制作工艺中，所需的基板通常是采用湿式蚀刻的方式，即采用腐蚀性液体对其基板进行线路图形的制作。湿式蚀刻制程需在基板正背面经过曝光显影的前处理，该制程虽然属于成熟技术，但设备的精准度严重影响蚀刻面的公差，进而导致产品外观及电性不良。

传统的湿式蚀刻制程，会有大量的蚀刻废水需要处理，对于环保意识崛起的地区，废水的处理将是笔额外且巨大的开销。

传统的二极管封装制程，其基板底部是利用高温胶带阻挡模压胶渗入背电极，这种设计很难百分之百保证完全阻挡，很可能会造成部分不良品产生，甚至影响产品焊锡性，另外，传统的二极管封装制程，其基板选用金属框架，而在切割作业上对刀片的损耗较为剧烈。

发明内容

针对上述问题，本发明提出一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法，能够实现减小产品误差，且不会有废水产生，以及可百分之百阻隔模压胶渗入背电极，甚至在切割刀片上的损耗也能获得改善。

实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：

第一方面，本发明提供了一种基于激光加工的二极管器件，包括：

第一基板块，

第二基板块，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；

芯片，所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；

导线，所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；

保护层，所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块；

第一基板块和第二基板块上外露在保护层之外的部分作为背电极。

优选地，所述保护层包覆了第一基板块和第二基板块厚度的一半。

优选地，所述导线的材质为金、铜、铝、银中任一种。

优选地，所述保护层由环氧树脂制成。

优选地，所述第一基板块和第二基板块来自于同一块基板，由铜材料制成。

第二方面，本发明提供了一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，包括：

(1)在基板的正面进行蚀刻，形成若干个蚀刻区；

(2)在基板上位于所述蚀刻区的一侧点胶，然后将芯片放置于该点胶处；

(3)将导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与基板上位于蚀刻区上与所述芯片相对的一侧的顶表面相连；

(4)在所述基板的正面、芯片和导线上制作保护层；

(5)在基板背面对所述蚀刻区进行加工形成背电极，得到半成品；

(6)对所述半成品进行切割，完成二极管器件的制造。

优选地，所述蚀刻区的蚀刻深度为基板厚度的一半。