[发明专利]一种基于激光加工的二极管器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于，包括：

第一基板块，

第二基板块，所述第二基板块与第二基板块位于同一水平面，且与第一基板块间隔设置；

芯片，所述芯片设于所述第一基板块上，其底表面与所述第一基板块的顶表面贴合；

导线，所述导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与所述第二基板块的顶表面相连；

保护层，所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块；

第一基板块和第二基板块上外露在保护层之外的部分作为背电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述保护层包覆了第一基板块和第二基板块厚度的一半。

3.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述导线的材质为金、铜、铝、银中任一种。

4.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述保护层由环氧树脂制成。

5.根据权利要求1所述的一种基于激光加工的二极管器件，其特征在于：所述第一基板块和第二基板块来自于同一块基板，由铜材料制成。

6.一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，其特征在于，包括：

(1)在基板的正面进行蚀刻，形成若干个蚀刻区；

(2)在基板上位于所述蚀刻区的一侧点胶，然后将芯片放置于该点胶处；

(3)将导线的一端与所述芯片的顶表面相连，另一端与基板上位于蚀刻区上与所述芯片相对的一侧的顶表面相连；

(4)在所述基板的正面、芯片和导线上制作保护层；

(5)在基板背面对所述蚀刻区进行加工形成背电极，得到半成品；

(6)对所述半成品进行切割，完成二极管器件的制造。

7.根据权利要求6所述的一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，其特征在于：所述蚀刻区的蚀刻深度为基板厚度的一半。

8.根据权利要求6所述的一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，其特征在于：所述导线材质为金、铜、铝、银中的任一种。

9.根据权利要求6所述的一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，其特征在于：所述在基板背面对所述蚀刻区进行加工形成背电极，得到半成品，具体为：

在基板背面利用激光将所有蚀刻区进行烧除形成背电极，得到半成品。

10.根据权利要求6所述的一种基于激光加工的二极管器件的制造方法，其特征在于：所述在所述基板的正面、芯片和导线上制作保护层，具体为：

将经过步骤(3)的基板放置模压机的模具中，向模具中注入液态的环氧树脂胶，将基板正面的区域覆盖，完成后使用烤箱烘烤；其中，所述保护层将芯片和导线全部包覆在内，且部分包覆所述第一基板块和第二基板块。