[发明专利]测试扫描方法

说明书

一种测试扫描方法，包括：提供测试机台，测试机台中有扫描探头；提供晶圆，晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区；选择与边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区；将晶圆放置在测试机台中后，扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面，并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光；设置参考预设芯片区，参考预设芯片区表面具有参考灰阶度，参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取；通过对边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较，判断边缘芯片区表面缺陷状态。所述方法能对边缘芯片区表面缺陷状态进行测试。

技术领域

本发明涉及半导体测试领域，尤其涉及一种测试扫描方法。

背景技术

在晶圆经过多次工艺步骤，需要对晶圆表面的性能进行测试。通常将晶圆放置在测试机台中，之后执行对晶圆表面性能的测试。

在对晶圆表面性能测试的过程中，需要将不同的芯片区测试的数据进行对比，进而选择出异常的芯片区。

然而，现有对晶圆表面性能测试的方法有待得到改善。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种测试扫描方法，以对晶圆的边缘芯片区表面信息进行测试。

为解决上述问题，本发明提供一种测试扫描方法，包括：提供测试机台，所述测试机台中具有扫描探头；提供晶圆，所述晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区；选择与所述边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区；将所述晶圆放置在测试机台中；将所述晶圆放置在测试机台中后，所述扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面，并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光、以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光；设置参考预设芯片区，所述参考预设芯片区表面具有参考灰阶度，所述参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取；通过对所述边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与所述参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较，判断边缘芯片区表面缺陷状态。

可选的，各对比芯片区包括若干对比芯片像素区，所述若干对比芯片像素区排列成N行*M列的矩阵；所述参考预设芯片区包括若干预设芯片像素区，所述若干预设芯片像素区排列成N行*M列的矩阵，第k行第j列预设芯片像素区表面具有第k行第j列参考灰阶度，k大于等于1且小于等于N，j大于等于1且小于等于M；根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取所述参考灰阶度的方法包括：获取第二测试反射光中对应各对比芯片区中第k行第j列对比芯片像素区的第k行第j列对比光强；获取各第k行第j列对比光强的灰阶度；将各第k行第j列对比光强的灰阶度中的一个最大值和一个最小值去除后取平均值，得到第k行第j列参考灰阶度。

可选的，所述扫描探头的扫描方式为逐行扫描；所述晶圆包括若干行芯片区，若干行芯片区分别为第一行芯片区至第Q行芯片区；第二行芯片区至第Q-1行的芯片区为主测试芯片区；第一行的芯片区和第Q行的芯片区为边缘芯片区，第一行的芯片区的数量小于等于2个，第Q行的芯片区的数量小于等于2个；各边缘芯片区分别包括若干边缘芯片像素区，所述若干边缘芯片像素区排列成N行*M列的矩阵；所述参考预设芯片区包括若干预设芯片像素区，所述若干预设芯片像素区排列成N行*M列的矩阵，第k行第j列预设芯片像素区表面具有第k行第j列参考灰阶度，k大于等于1且小于等于N，j大于等于1且小于等于M。

可选的，第一行的芯片区的数量等于2个；对于第一行的芯片区，参考预设芯片区的数量为一个。