[发明专利]测试扫描方法在审
| 申请号: | 201811438139.9 | 申请日: | 2018-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN109585323A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
| 发明(设计)人: | 董健;刘命江 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 薛异荣;吴敏 |
| 地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片区 边缘芯片 灰阶度 测试 反射光 区表面 参考 测试机台 晶圆 预设 缺陷状态 扫描探头 主测试 扫描 发射测试 入射光 邻近 | ||
1.一种测试扫描方法,其特征在于,包括:
提供测试机台,所述测试机台中具有扫描探头;
提供晶圆,所述晶圆包括边缘芯片区和若干主测试芯片区;
选择与所述边缘芯片区邻近的若干主测试芯片区作为对比芯片区;
将所述晶圆放置在测试机台中;
将所述晶圆放置在测试机台中后,所述扫描探头发射测试入射光至边缘芯片区的表面和各对比芯片区的表面,并获取自边缘芯片区表面的第一测试反射光、以及自各对比芯片区表面的第二测试反射光;
设置参考预设芯片区,所述参考预设芯片区表面具有参考灰阶度,所述参考灰阶度根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取;
通过对所述边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与所述参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较,判断边缘芯片区表面缺陷状态。
2.根据权利要求1所述的测试扫描方法,其特征在于,各对比芯片区包括若干对比芯片像素区,所述若干对比芯片像素区排列成N行*M列的矩阵;
所述参考预设芯片区包括若干预设芯片像素区,所述若干预设芯片像素区排列成N行*M列的矩阵,第k行第j列预设芯片像素区表面具有第k行第j列参考灰阶度,k大于等于1且小于等于N,j大于等于1且小于等于M;
根据各对比芯片区表面的第二测试反射光的灰阶度获取所述参考灰阶度的方法包括:获取第二测试反射光中对应各对比芯片区中第k行第j列对比芯片像素区的第k行第j列对比光强;获取各第k行第j列对比光强的灰阶度;将各第k行第j列对比光强的灰阶度中的一个最大值和一个最小值去除后取平均值,得到第k行第j列参考灰阶度。
3.根据权利要求1所述的测试扫描方法,其特征在于,所述扫描探头的扫描方式为逐行扫描;所述晶圆包括若干行芯片区,若干行芯片区分别为第一行芯片区至第Q行芯片区;第二行芯片区至第Q-1行的芯片区为主测试芯片区;第一行的芯片区和第Q行的芯片区为边缘芯片区,第一行的芯片区的数量小于等于2个,第Q行的芯片区的数量小于等于2个;
各边缘芯片区分别包括若干边缘芯片像素区,所述若干边缘芯片像素区排列成N行*M列的矩阵;
所述参考预设芯片区包括若干预设芯片像素区,所述若干预设芯片像素区排列成N行*M列的矩阵,第k行第j列预设芯片像素区表面具有第k行第j列参考灰阶度,k大于等于1且小于等于N,j大于等于1且小于等于M。
4.根据权利要求3所述的测试扫描方法,其特征在于,第一行的芯片区的数量等于2个;对于第一行的芯片区,参考预设芯片区的数量为一个。
5.根据权利要求4所述的测试扫描方法,其特征在于,所述边缘芯片区为第一行的芯片区,通过对所述边缘芯片区表面的第一测试反射光的灰阶度与所述参考预设芯片区表面的参考灰阶度进行比较,判断边缘芯片区表面缺陷状态的过程包括:选择第一行的芯片区中任意一个芯片区作为第二待测试区,第一行的芯片区中另一个芯片区作为第一待测试区;获取第一测试反射光中对应第一待测试区中第k行第j列边缘芯片像素区的第k行第j列测试光强;获取第一测试反射光中对应第二待测试区中第k行第j列边缘芯片像素区的第k行第j列测试光强;获取各第k行第j列测试光强的第k行第j列测试灰阶度;获取第一待测试区的第k行第j列测试灰阶度与第二待测试区的第k行第j列测试灰阶度之间的第一灰阶度差;获取第二待测试区的第k行第j列测试灰阶度与第k行第j列参考灰阶度之间的第二灰阶度差;获取第一灰阶度差与第二灰阶度差之间的比较灰阶度差;获取第一像素数和第二像素数;第一像素数为第二待测试区中满足第一条件的边缘芯片像素区的总数量;第二像素数为第二待测试区中满足第二条件的边缘芯片像素区的总数量;第一条件为:比较灰阶度差小于等于第一像素阈值;第二条件为:比较灰阶度差大于第一像素阈值;若第一像素数大于等于第一像素数和第二像素数总和的第一预设比例,则判断第二待测试区表面缺陷状态符合工艺要求;若第一像素数小于第一像素数和第二像素数总和的第一预设比例,则判断第二待测试区表面缺陷状态不符合工艺要求。
6.根据权利要求3所述的测试扫描方法,其特征在于,第一行的芯片区的数量等于1个;对于第一行的芯片区,参考预设芯片区的数量为两个,两个参考预设芯片区的参考灰阶度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





