[发明专利]一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法在审
| 申请号： | 201811437850.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109518140A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 温艳玲;惠知;张学智 | 申请（专利权）人： | 河北冠靶科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22B21/06;C22F1/04 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 韩国强 |
| 地址： | 052360 河北省石家*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 等轴细晶 超高纯 高纯铝锭 铝靶材 晶粒 重熔 真空感应熔炼炉 材料加工技术 塑性变形工艺 半导体芯片 热处理 铝溅射靶 真空熔铸 均一 冷轧 成型 | ||
1.一种超高纯、等轴细晶铝靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)重熔：将高纯铝锭置于真空炉内重熔，完全熔化后得到高纯铝液；
(2)重铸：将所述高纯铝液浇注于锭模中进行重铸，在冷却过程中对所述高纯铝液进行电磁搅拌，重铸后得到新铸高纯铝锭；
(3)退火处理：将所述新铸高纯铝锭在200-400℃保温后，随室温冷却；
(4)锻压：将退火处理后的所述新铸高纯铝锭进行锻压处理；
(5)轧制：将锻压处理后的所述新铸高纯铝锭进行轧制处理；
(6)将轧制处理后的所述新铸高纯铝锭进行保温冷却处理，制得晶粒尺寸小于100μm的等轴晶超高纯铝。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，真空炉内温度为680-800℃，真空度为3.8x10-2～1.7x10-4。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述高纯铝液完全浇入铝锭中后，以冷却水对铝锭及高纯铝液进行快速冷却处理。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述高纯铝液温度达到690-720℃后，浇入锭模中，在冷却过程中对所述高纯铝液进行电磁搅拌。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，经步骤(2)重铸处理后得到的所述新铸高纯铝锭中的晶粒尺寸小于1mm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，保温时间为20-50小时。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(4)中，先将所述新铸高纯铝锭沿X、Y横截面方向分别进行锻压，再沿Z方向进行锻压。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，轧制温度为23-28℃，轧制次数为5-30次。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，经步骤(4)、(5)锻压和轧制处理后的所述新铸高纯铝锭的变形总量为25-70％。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(6)中，保温温度为120-300℃，保温时间为30-200min。
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