[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板

说明书

本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板。本发明的优点在于，避免了因蒸镀角度造成的像素边缘较大的阴影区，另外还能避免镀膜过程中精细金属掩膜版温度升高造成的PPA变化，能够应用于高解析度显示面板的制造。

技术领域

本发明涉及显示装置领域，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。

背景技术

OLED显示技术较之当前主流的液晶显示技术，具有对比度高、色域广、柔性、轻薄、节能等突出优点。近年来OLED显示技术逐渐在智能手机和平板电脑等移动设备、智能手表等柔性可穿戴设备、大尺寸曲面电视、白光照明等领域普及，发展势头强劲。

当前投入商业化的OLED显示器件主要有RGB三色OLED显示器件和白光OLED搭配彩膜(CF)的显示器件。

其中，RGB三色OLED显示器件当前广泛应用于移动显示设备。目前比较普遍的制作OLED的方法是真空蒸镀的方法。有机发光(EL)材料在坩埚中受热，由固态变成气态，然后通过精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)的开孔，沉积在薄膜晶体管阵列(TFT Array)基板上对应的像素定义层(PDL，Pixel Definition Layer)的开口中。传统的精细金属掩膜版主要使用因瓦合金(Invar)材料，经过双面光刻、蚀刻工艺制造而成。通过张网机(masktension)将精细金属掩膜版与掩膜版支撑架(Mask Frame)对位并激光焊接在掩膜版支撑架上。图1A是精细金属掩膜版焊接在掩膜版支撑架上的示意图，请参阅图1A，精细金属掩膜版10焊接在掩膜版支撑架11上。

精细金属掩膜版技术是显示器件解析度的决定因素。图1B是精细金属掩膜版10的俯视示意图，图1C沿图1B的A-A线的截面示意图，请参阅图1B及图1C，所述精细金属掩膜版10具有多个开口12，在所述开口12对应的基板位置，有机材料沉积形成子像素。图1D是采用精细金属掩膜版蒸镀子像素的示意图，图1E是图1D中C区域的放大示意图，请参阅图1D及图1E，蒸发源13蒸发出的有机材料通过所述开口12沉积在基板14上，从而在所述基板14上形成子像素(Sub-pixel)15，其中有机材料蒸镀区域采用虚线绘示。其缺点在于，在蒸镀镀膜过程中，受所述开口12的形状及厚度等参数的影响，在子像素15的两边缘会产生阴影区(Shadow area)A，其中，所述阴影区A包括位于所述开口12边缘左侧的外阴影区A1及位于所述开口12边缘右侧的内阴影区A2。在阴影区A内，所述子像素的厚度不均匀，呈梯度递减。通常情况下，所述阴影区A的宽度达到5微米以上，为了避免阴影区A对显示器件的显示效果的影响，必须增大子像素15的宽度，这限制了更高解析度显示器件的制造。传统FMM解析度一般难以超过250ppi，随着对显示器件解析度需求的日益提升(如300ppi以上)，现有采用精细金属掩膜版进行真空蒸镀的技术已经难以满足需求，且蒸镀镀膜过程中精细金属掩膜版温度升高(例如5℃或以上)，同时精细金属掩膜版需要周期性清洗、重新张网等，易发生PPA精度变化、增加了量产维护成本。因此，需要发展新的显示面板的制备方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种显示面板的制备方法及显示面板，其能够应用于高解析度显示面板的制造。

为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：提供一基板，所述基板具有一第一表面及一第二表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置，在所述第一表面上具有交替设置的多个沉积区及多个非沉积区；提供一光源，所述光源照射所述第二表面，并进一步从所述第二表面照射在所述非沉积区；以及一蒸发源产生一有机材料蒸汽，所述有机材料蒸汽与所述第一表面接触，所述有机材料蒸汽在所述沉积区形成一有机材料块，在所述非沉积区，所述有机材料蒸汽未形成一有机材料块。