[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板有效

专利信息
申请号: 201811437465.8 申请日: 2018-11-28
公开(公告)号: CN109560196B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 沐俊应 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L27/32;C23C14/04;C23C14/24
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供一基板,所述基板具有一第一表面及一第二表面,所述第一表面与所述第二表面相对设置,在所述第一表面上具有交替设置的多个沉积区及多个非沉积区;

提供一光源,所述光源有选择地照射所述第二表面,并进一步从所述第二表面照射在所述非沉积区,所述光源并未照射所述沉积区;以及

一蒸发源产生一有机材料蒸汽,所述有机材料蒸汽与所述第一表面接触,所述有机材料蒸汽在所述沉积区形成一有机材料块,在所述非沉积区,所述有机材料蒸汽受到所述光源的照射及活化未形成一有机材料块。

2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括如下步骤:

在所述光源从所述第二表面照射在所述非沉积区的步骤之前,提供一掩膜板,所述掩膜板包括间隔设置的多个阻挡区及多个镂空区,所述阻挡区对应所述沉积区设置,所述镂空区对应所述非沉积区设置;

在所述光源从所述第二表面照射在所述非沉积区的步骤中,所述光源照射在所述掩膜板上,在所述镂空区,所述光源穿过所述镂空区后照射在所述非沉积区,在所述阻挡区,所述光源被阻挡。

3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括一对位步骤,调整所述基板及所述掩膜板的位置,以使所述阻挡区对应所述沉积区设置,所述镂空区对应所述非沉积区设置。

4.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在形成所述有机材料块的步骤中,所述有机材料块的侧边的边缘突出于所述沉积区与所述非沉积区的界限。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述沉积区为一子像素区,所述非沉积区为一非子像素区,形成在所述沉积区的所述有机材料块为一子像素。

6.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述有机材料块的侧边突出于所述沉积区与所述非沉积区的界限,在所述非沉积区,所述有机材料块的厚度递减。

7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述光源为激光光源。

8.一种采用权利要求1所述的方法制备的显示面板,其特征在于,包括一基板,所述基板具有交替设置的多个沉积区及多个非沉积区,在所述沉积区设置有一有机材料块,所述有机材料块的侧边突出于所述沉积区与所述非沉积区的界限,在所述非沉积区,所述有机材料块的厚度递减。

9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述有机材料块为一子像素。

10.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述有机材料块的侧边呈弧形。

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