[发明专利]移动手臂、化学机械研磨修整器和研磨设备在审
| 申请号: | 201811432480.3 | 申请日: | 2018-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN109333335A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
| 发明(设计)人: | 高林 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | B24B37/00 | 分类号: | B24B37/00;B24B37/34;B24B57/00 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳 |
| 地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 移动手臂 化学机械研磨 收纳 研磨设备 液体收纳 修整器 液滴 手臂 外壳表面 研磨垫 包覆 排管 积累 | ||
一种移动手臂、化学机械研磨修整器和研磨设备,其中所述移动手臂,包括:包覆手臂主体的外壳以及位于外壳表面的液体收纳装置,所述液体收纳装置用于收纳积累在外壳上的液滴,并将收纳的液滴排到下排管中。本发明的移动手臂,能防止手臂上的液滴滴落到下方的研磨垫上。
技术领域
本发明涉及半导体制作领域,尤其涉及一种移动手臂、化学机械研磨修整器和研磨设备。
背景技术
在半导体制作工艺中,化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是非常重要的一道工序,有时也称之为化学机械抛光或平坦化。所谓化学机械研磨,它是采用化学与机械综合作用从半导体硅片上去除多余材料,并使其获得平坦表面的工艺过程。
化学机械研磨是通过化学机械研磨设备进行,现有的化学机械研磨设备一般包括:研磨台、研磨垫、研磨液供给端、研磨垫修整器和研磨头,其中研磨垫设置于研磨台上;研磨头用于固定待研磨晶圆,使所述待研磨晶圆与研磨垫接触;研磨液供给端用于供应研磨液(Slurry)至研磨垫表面;研磨垫修整器的上装配有修整盘(Disk),用于对研磨垫的表面进行修整,同时提高研磨液在所述研磨垫上分布的均匀性。在进行研磨时,研磨液以一定的速率流到研磨垫的表面,研磨头给待研磨晶圆施加一定的压力,使得待研磨晶圆的待研磨面与研磨垫产生机械接触,在研磨过程中,研磨头、研磨台、修整盘分别以一定的速度旋转,通过机械和化学作用去除待研磨晶圆表面的薄膜,从而达到待研磨晶圆表面平坦化的目的,并对研磨垫的表面进行修整。
但是现有的研磨垫修整器对研磨垫进行修整时存在液滴掉落到研磨垫上的可能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是怎样防止对研磨垫进行修整时,液滴掉落到研磨垫上。
为了解决上述问题,本发明提供了一种移动手臂,包括:手臂主体、包覆手臂主体的外壳以及位于外壳表面的液体收纳装置,所述液体收纳装置用于收纳积累在外壳上的液滴,并将收纳的液滴排到下排管中。
可选的,所述液体收纳装置包括位于外壳顶部表面的收纳腔和与收纳腔连接的排液部,所述收纳腔用于收纳积累在外壳上的液滴,所述排液部用于将收纳腔中收纳的液滴排到下排管中。
可选的,所述收纳腔包括底板和位于底板上的环形的侧板,所述底板和侧板之间构成的空间用于容纳液滴。
可选的,所述底板上方还设置有盖板,盖板上具有若干孔洞,所述盖板两端与侧板接触,且盖板的表面低于侧板的顶部表面。
可选的,所述底板具有倾斜的表面,且所述倾斜表面向排液部的方向倾斜。
可选的,所述排液部包括排液管道和负压产生器,所述排液管道一端与收纳腔连接,所述排液管道另一端与负压产生器的出口端连接,负压产生器产生负压时,排液管道中也产生负压,将收纳腔中积累的液滴中抽出通过排液管道和出口端排到下排管中。
可选的,所述负压产生器包括连通的入口端和出口端,入口端连接压缩空气供入端,出口端分别与排液管道和下排管连接,压缩空气从空气供入端供入后,从入口端流入从出口端流出时会对排液管道产生一个负压。
可选的,所述移动手臂的移动包括垂直移动、水平移动和转动中的一种或几种。
本发明还提供了一种化学机械研磨修整器,包括前述所述的移动手臂。
本发明还提供了一种化学机械研磨设备,包括前述所述的化学机械研磨修整器。
与现有技术相比,本发明技术方案具有以下优点:
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