[发明专利]顶销单元的移动方法及基板处理装置有效
申请号: | 201811432476.7 | 申请日: | 2018-11-28 |
公开(公告)号: | CN109841544B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 孙洪儁 | 申请(专利权)人: | TES股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;C23C16/458 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道龙仁市处*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单元 移动 方法 处理 装置 | ||
本发明涉及一种顶销单元的移动方法及基板处理装置,涉及一种在进行基板的处理工艺时,可防止因顶销孔而在基板的下表面或上表面产生非期望的孔标记或盲区的顶销单元的移动方法及基板处理装置。
技术领域
本发明涉及一种顶销单元的移动方法及基板处理装置,涉及一种在进行基板的处理工艺时,可防止因顶销孔(hole)而在基板的下表面或上表面产生非期望的孔标记或盲区等的顶销单元的移动方法及基板处理装置。
背景技术
现有的基板处理装置是在基板的一面,例如在基板的上表面沉积特定厚度的薄膜。在此情况下,在像3d-Nand器件等一样在基板上沉积多层薄膜时,会使基板弯曲(bowing)。如果基板产生弯曲现象,则在后续的工艺中,基板会难以在准确的位置执行工艺,难以夹持(chucking)基板。尤其,基板处理工艺包括要求高精确度的作业,基板的弯曲现象会降低这种基板工艺的精确度。
图14(a)、图14(b)及图14(c)是用以说明在基板100上沉积薄膜时的基板100的弯曲(bowing)现象的图。
图14(a)表示在所述基板100的上表面沉积特定厚度的薄膜102时拉伸应力(tensile stress)作用到所述基板100的情况,图14(b)相反地表示在所述基板100的上表面沉积特定厚度的薄膜102时压缩应力(compressive stress)作用到所述基板100的情况。
如图14(a),如果拉伸应力作用到所述基板100,则像图中所示一样基板100向下弯曲,与此相反,如图14(b),如果压缩应力作用到所述基板100,则所述基板100向上弯曲。在此情况下,为了去除基板的弯曲现象,可像图14(c)一样在基板100的下表面沉积特定厚度的薄膜104而缓和或去除弯曲现象。
然而,在像上述内容一样在基板的下表面沉积特定的薄膜的情况下,处理气体供给部定位到基板的下部而向基板的下表面供给处理气体进行沉积。此时,可在所述处理气体供给部定位用以移动供装载或卸载基板的顶销(lift pin)的顶销孔。
在像上述内容一样在基板的下部形成顶销孔的情况下,在形成有孔的位置,处理气体的流动不顺畅,从而顶销孔转印到基板的下表面而会产生不发生反应的孔标记(holemark)或盲区等。图15(A)及图15(B)是表示在基板的下表面形成有因顶销孔产生的孔标记或盲区的情况的照片。这种孔标记或盲区不仅产生在基板的下表面,而且在严重时也会产生在基板的上表面。
另外,不仅在将薄膜沉积到基板的下表面时,而且在将薄膜沉积到基板的上表面时,在进行沉积工艺的温度相对较高的情况下,即便顶销孔位于基板的下部,也会因孔痕而在基板的下表面或上表面产生孔标记或盲区。
发明内容
[发明欲解决的课题]
为了解决如上所述的问题,本发明的目的在于提供一种在基板的下表面或上表面沉积薄膜的情况下,可防止因顶销孔产生的孔标记或盲区的顶销单元的移动方法及基板处理装置。
[解决课题的手段]
为了达成如上所述的本发明的目的,提供一种基板处理装置,包括:腔室,用于在基板上执行处理工艺;基板支撑环,提供到所述腔室的内部,以支撑所述基板的边缘;第一供给部,在所述基板的下部提供到所述基板支撑环的内侧,以向所述基板供给热及所述处理工艺所需的第一气体中的至少一种气体;以及顶销单元,用于将所述基板装载到所述基板支撑环或将所述基板从所述基板支撑环卸载;且所述顶销单元在所述第一供给部的半径方向以可移动的方式提供。
此处,可不在所述第一供给部形成用以供所述顶销单元移动的顶销孔。
另一方面,所述顶销单元可沿所述第一供给部的半径方向移动而位于所述基板与所述第一供给部的上表面之间的空间或者脱离所述基板与所述第一供给部的上表面之间的空间。
此时,所述顶销单元可设置在所述基板支撑环与所述第一供给部之间的空间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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