[发明专利]高位MOS管的驱动电路有效
申请号: | 201811429717.2 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109450232B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 朱垚;权少强 | 申请(专利权)人: | 普联技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 麦小婵;郝传鑫 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区深南路科技*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高位 mos 驱动 电路 | ||
本发明公开了一种高位MOS管的驱动电路,包括依次连接的输入电路、光耦隔离电路和驱动电路;所述输入电路的电压输入端和所述驱动电路的电压输入端均连接供电电源;所述输入电路用于为所述光耦隔离电路提供电源电压,并将驱动信号传输至所述光耦隔离电路;所述光耦隔离电路包括光电耦合器,用于根据所述驱动信号高低实现所述光电耦合器的通断;所述驱动电路用于根据所述光电耦合器的通断实现对高位MOS管的驱动。通过驱动信号的高低实现光电耦合器的通断,利用所述光电耦合器对电路进行了隔离,使得所述高位MOS管的栅极电压的参考电压不依赖于“地”,进而所述驱动电路能根据所述光电耦合器的通断实现对高位MOS管的驱动。
技术领域
本发明涉及驱动电路技术领域,尤其涉及一种高位MOS管的驱动电路。
背景技术
高位MOS管是指MOS管连接在电路中,MOS管的源极没有直接接地。参见图1,示例性的,以高位MOS管连接在BUCK电路中进行说明,BUCK电路中主MOS管是高位MOS管,所述主MOS管M1的源极不直接接地,源极分别连接了二极管的阴极和电感的一端,当所述主MOS管M1导通时,如果MOS管是直接接地的,源极点的电压就会被拉低,但是高位MOS管的源极不直接接地,则其源极点电压就会被抬升至于与漏极相同的电压,此时如果栅极电压不够高或者不能跟随着源极点电压变化升高,则可能导致导通压降不够而关闭所述主MOS管M1,所以需要一个驱动高位MOS管的驱动电路。
现有技术中,采用升压泵+自举电容+驱动电路来实现驱动,参见图2和图3,发明人在实现本发明实施例时,发现现有技术存在以下缺陷,所需要的元器件多,电路结构复杂,成本高,所以需要一种新型的高位MOS管驱动电路。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种高位MOS管的驱动电路,能实现对高位MOS管的驱动,电路结构简单,成本低。
为了解决上述技术问题,本发明提出了一种高位MOS管的驱动电路,包括依次连接的输入电路、光耦隔离电路和驱动电路;
所述输入电路的电压输入端和所述驱动电路的电压输入端均连接供电电源;
所述输入电路用于为所述光耦隔离电路提供电源电压,并将驱动信号传输至所述光耦隔离电路;
所述光耦隔离电路包括光电耦合器,用于根据所述驱动信号高低实现所述光电耦合器的通断;
所述驱动电路用于根据所述光电耦合器的通断实现对高位MOS管的驱动。
优选地,所述光电耦合器的发光器件的正极与所述输入电路的电压输出端连接,所述发光器件的负极与所述输入电路的驱动信号输出端连接,所述光电耦合器的光接收器件的集电极与所述驱动电路的第一输出端连接,所述光接收器件的发射极与所述驱动电路的第二输出端连接;其中,所述驱动电路的第一输出端用于连接所述高位MOS管的栅极,所述驱动电路的第二输出端用于连接所述高位MOS管的源极。
优选地,所述驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容和第一二极管;
所述第一二极管的正极连接所述供电电源,所述第一二极管的负极分别连接所述第一电阻的一端和所述第一电容的一端;
所述第二电容的一端分别连接所述第一电阻的另一端、所述光接收器件的集电极及所述第二电阻的一端,所述第二电容的另一端分别连接所述第一电容的另一端、所述第二输出端及所述光接收器件的发射极;
所述第二电阻的另一端连接所述第一输出端。
优选地,所述输入电路包括第三电阻;
所述第三电阻的一端连接所述输入电路的电压输入端,所述第三电阻的另一端连接所述输入电路的电压输出端。
优选地,所述输入电路还包括第四电阻;
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