[发明专利]高位MOS管的驱动电路有效

专利信息
申请号: 201811429717.2 申请日: 2018-11-26
公开(公告)号: CN109450232B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 朱垚;权少强 申请(专利权)人: 普联技术有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 麦小婵;郝传鑫
地址: 518000 广东省深圳市南山区深南路科技*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高位 mos 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种高位MOS管的驱动电路,其特征在于,包括依次连接的输入电路、光耦隔离电路和驱动电路;

所述输入电路的电压输入端和所述驱动电路的电压输入端均连接供电电源;

所述输入电路用于为所述光耦隔离电路提供电源电压,并将驱动信号传输至所述光耦隔离电路;

所述光耦隔离电路包括光电耦合器,用于根据所述驱动信号高低实现所述光电耦合器的通断;

所述驱动电路用于根据所述光电耦合器的通断实现对高位MOS管的驱动;

所述光电耦合器的光接收器件的集电极与所述驱动电路的第一输出端连接,所述光接收器件的发射极与所述驱动电路的第二输出端连接;其中,所述驱动电路的第一输出端用于连接所述高位MOS管的栅极,所述驱动电路的第二输出端用于连接所述高位MOS管的源极;

所述光耦隔离电路包括第二二极管和第三电容;

所述光电耦合器包括第五引脚;

所述第二二极管的正极连接所述驱动电路,所述第二二极管的负极分别连接所述第五引脚和所述第三电容的一端;

所述第三电容的另一端连接所述光接收器件的发射极。

2.如权利要求1所述的高位MOS管的驱动电路,其特征在于,所述光电耦合器的发光器件的正极与所述输入电路的电压输出端连接,所述发光器件的负极与所述输入电路的驱动信号输出端连接。

3.如权利要求2所述的高位MOS管的驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容和第一二极管;

所述第一二极管的正极连接所述供电电源,所述第一二极管的负极分别连接所述第一电阻的一端和所述第一电容的一端;

所述第二电容的一端分别连接所述第一电阻的另一端、所述光接收器件的集电极及所述第二电阻的一端,所述第二电容的另一端分别连接所述第一电容的另一端、所述第二输出端及所述光接收器件的发射极;

所述第二电阻的另一端连接所述第一输出端。

4.如权利要求2所述的高位MOS管的驱动电路,其特征在于,所述输入电路包括第三电阻;

所述第三电阻的一端连接所述输入电路的电压输入端,所述第三电阻的另一端连接所述输入电路的电压输出端。

5.如权利要求4所述的高位MOS管的驱动电路,其特征在于,所述输入电路还包括第四电阻;

所述第四电阻的一端连接所述驱动信号输出端,所述第四电阻的另一端接地。

6.如权利要求3所述的高位MOS管的驱动电路,其特征在于,所述输入电路还包括第五电阻、第六电阻、第七电阻及开关管;

所述开关管的输入端分别连接所述第五电阻的一端和所述第六电阻的一端,所述开关管的控制端分别连接所述第七电阻的一端和所述输入电路的驱动信号输入端,所述开关管的输出端接地;

所述第五电阻的另一端分别连接供电电源和所述输入电路的电压输出端;

所述第六电阻的另一端连接所述输入电路的驱动信号输出端;

所述第七电阻的另一端接地。

7.如权利要求6所述的高位MOS管的驱动电路,其特征在于,所述光电耦合器还包括第五引脚,所述第五引脚连接在所述第一电阻的一端与所述第一二极管的负极之间。

8.如权利要求6所述的高位MOS管的驱动电路,其特征在于,所述开关管为N沟道MOS管;其中,所述开关管的控制端为N型MOS管的栅极,所述开关管的输入端为N型MOS管的漏极,所述开关管的输出端为N型MOS管的源极。

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