[发明专利]薄膜光伏组件测试方法及薄膜光伏组件在审
申请号: | 201811423701.0 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109755147A | 公开(公告)日: | 2019-05-14 |
发明(设计)人: | 刘晓清;王怀松 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 100176 北京市经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜光伏组件 校准 测试 组件测试仪 光伏组件 测试仪 检测 薄膜电池 标准参考 参考 预设 | ||
本发明提供了一种薄膜光伏组件测试方法及薄膜光伏组件,涉及薄膜电池技术领域,测试方法包括:根据预设方法获取薄膜光伏组件的校准参考值;通过校准参考值对光伏组件测试仪进行校准;通过校准后的光伏组件测试仪测试待检测薄膜光伏组件的功率,并将测试得到的功率记为待检测薄膜光伏组件的功率。本发明通过获取到的薄膜光伏组件的标准参考值对光伏组件测试仪进行校准,校准后的光伏组件测试仪可以准确测试待检测薄膜光伏组件的功率。
技术领域
本发明涉及薄膜电池技术领域,尤其是涉及一种薄膜光伏组件测试方法及薄膜光伏组件。
背景技术
目前,各厂商在生产铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池组件后,对CIGS薄膜太阳能电池组件进行功率测试通常是通过买来的太阳能电池组件测试仪进行的。然而,太阳能电池组件测试仪进行功率测试前需要校准,目前各厂商对太阳能电池组件测试仪进行校准时,是通过目前已经成熟的晶硅标准电池校准的,而CIGS薄膜太阳能电池和晶硅太阳能电池的原理是不同的,因此通过晶硅标准电池对太阳能电池组件测试仪进行校准,其校准结果会对测试结果带来一定的偏差。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种薄膜光伏组件测试方法及薄膜光伏组件,以缓解目前通过晶硅标准电池对太阳能电池组件测试仪进行校准,其校准结果会对CIGS薄膜太阳能电池组件的测试结果带来一定的偏差的技术问题。
第一方面,本发明实施例提供了一种薄膜光伏组件测试方法,所述方法包括:
根据预设方法获取薄膜光伏组件的校准参考值;
通过所述校准参考值对光伏组件测试仪进行校准;
通过校准后的所述光伏组件测试仪测试待检测薄膜光伏组件的功率,并将测试得到的功率记为所述待检测薄膜光伏组件的功率。
可选地,所述根据预设方法获取薄膜光伏组件的校准参考值的步骤包括:
获取满足预设参数的薄膜光伏组件;
对所述薄膜光伏组件进行稳定化处理,得到稳定薄膜光伏组件;
通过参考电池对所述稳定薄膜光伏组件进行标定测试,得到所述稳定薄膜光伏组件的标称值,将所述标称值作为所述校准参考值。
可选地,对所述薄膜光伏组件进行稳定化处理的步骤,包括:
对所述薄膜光伏组件进行光老练处理以得到满足第一稳定条件的薄膜光伏组件;
对满足所述第一稳定条件的薄膜光伏组件进行电性能测试,以获取所述稳定薄膜光伏组件。
可选地,对所述薄膜光伏组件进行光老练处理以得到满足第一稳定条件的薄膜光伏组件的步骤包括:
对所述薄膜光伏组件进行光照处理并记录所述薄膜光伏组件进行光照处理后的功率;
计算经过相邻两次光照处理的所述薄膜光伏组件的功率变化率;
判断所述功率变化率是否小于设定值,当所述功率变化率小于所述设定值时,判定光照处理后的薄膜光伏组件满足所述第一稳定条件。
可选地,所述对满足所述第一稳定条件的薄膜光伏组件进行电性能测试的步骤之前,还包括:
对满足所述第一稳定条件的薄膜光伏组件进行冷却处理以及辐照处理,以使所述薄膜光伏组件达到标准测试条件。
可选地,所述对满足所述第一稳定条件的薄膜光伏组件进行电性能测试的步骤包括:
在所述标准测试条件下,采用组件测试仪分别对所述薄膜光伏组件进行多次连续的正向扫描测量以及多次连续的反向扫描测量,并分别记录正向I-V特性曲线和反向I-V特性曲线;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造