[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供了一种显示基板的制造方法，包括：通过构图工艺在衬底基板上依次制作栅极、栅极绝缘层和半导体有源层；在制作有半导体有源层的衬底基板上制作第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层位于显示基板的显示区，第二刻蚀阻挡层位于显示基板的周边区域，第二刻蚀阻挡层为非透明层，用作后续制作源极和漏极时的对位标记；在制作有第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层的衬底基板上通过构图工艺制作源极和漏极。本发明实施例还公开了一种显示基板和显示装置。本发明实施例的制造方法可以提高刻蚀阻挡层与源极和漏极之间对位的精准度，增强显示基板的整体显示效果。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体为用于一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(又被称为OLED)显示基板通常包括基板、阳极、由有机化合物制成的空穴传输层、具有合适的掺杂物的有机发光层、有机电子传输层、以及阴极。OLED显示基板由于具有低驱动电压、高亮度、宽视角、以及全彩色平板发光显示等优点而具有吸引力。

但是，申请人发现，OLED显示基板的制造过程包括栅极、刻蚀阻挡层、源极和漏极的制作，在制作刻蚀阻挡层时需要与栅极所在膜层包括的对位标记对位曝光，以及在制作源极和漏极时也需要与栅极所在膜层包括的对位标记对位曝光，但是，刻蚀阻挡层与栅极所在膜层包括的对位标记对位时会产生一定的误差偏移，同时，源极和漏极在与栅极所在膜层包括的对位标记对位时同样会产生一定的误差偏移，这在无形之中增大了刻蚀阻挡层与源极和漏极之间的偏移量，导致产生短沟道效应，使得阈值电压负漂，严重影响显示基板的整体显示效果。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，能够提高刻蚀阻挡层与源极和漏极之间的对位精度，加强显示基板的整体显示效果。

为了解决上述问题，本发明实施例主要提供如下技术方案：

在第一方面中，本发明实施例公开了一种显示基板的制造方法，包括：

通过构图工艺在衬底基板上依次制作栅极、栅极绝缘层和半导体有源层；

在制作有所述半导体有源层的衬底基板上制作第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层位于显示基板的显示区，所述第二刻蚀阻挡层位于显示基板的周边区域，所述第二刻蚀阻挡层为非透明层，用作后续制作源极和漏极时的对位标记；

在制作有所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层的所述衬底基板上通过构图工艺制作源极和漏极。

可选地，在制作有所述半导体有源层的衬底基板上制作第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，包括：

在制作有所述半导体有源层的衬底基板上沉积一层金属层；

通过构图工艺对所述金属层进行图形化，在显示基板的显示区形成图案化金属层，在显示基板的周边区域形成第二刻蚀阻挡层；

对所述图案化金属层进行处理，形成透明绝缘的第一刻蚀阻挡层。

可选地，所述金属层的材料包括铝。

可选地，所述对所述图案化金属层进行处理，形成透明绝缘的第一刻蚀阻挡层，包括：

对所述图案化金属层进行氧化处理，使得所述图案化金属层转换为透明绝缘层。

可选地，所述对所述图案化金属层进行氧化处理，包括：

对所述图案化金属层进行阳极氧化处理。

在第二方面中，本发明申请提供了一种显示基板，包括：

依次设置在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层和半导体有源层；以及位于所述半导体有源层上的第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层、位于所述第一刻蚀阻挡层上的源极和漏极；