[发明专利]一种显示基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括：

通过构图工艺在衬底基板上依次制作栅极、栅极绝缘层和半导体有源层；

在制作有所述半导体有源层的衬底基板上制作第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层位于显示基板的显示区，所述第二刻蚀阻挡层位于显示基板的周边区域，所述第二刻蚀阻挡层为非透明层，用作后续制作源极和漏极时的对位标记；

在制作有所述第一刻蚀阻挡层和所述第二刻蚀阻挡层的所述衬底基板上通过构图工艺制作源极和漏极；

在制作有所述半导体有源层的衬底基板上制作第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，包括：

在制作有所述半导体有源层的衬底基板上沉积一层金属层；

通过构图工艺对所述金属层进行图形化，在显示基板的显示区形成图案化金属层，在显示基板的周边区域形成第二刻蚀阻挡层；

对所述图案化金属层进行处理，形成透明绝缘的第一刻蚀阻挡层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的材料包括铝。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述对所述图案化金属层进行处理，形成透明绝缘的第一刻蚀阻挡层，包括：

对所述图案化金属层进行氧化处理，使得所述图案化金属层转换为透明绝缘层。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述对所述图案化金属层进行氧化处理，包括：

对所述图案化金属层进行阳极氧化处理。

5.一种显示基板，其特征在于，包括：

依次设置在衬底基板上的栅极、栅极绝缘层和半导体有源层；以及位于所述半导体有源层上的第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层、位于所述第一刻蚀阻挡层上的源极和漏极；

其中，所述第一刻蚀阻挡层位于显示基板的显示区，所述第二刻蚀阻挡层位于显示基板的周边区域，且所述第二刻蚀阻挡层用作所述源极和所述漏极的对位标记；

所述第二刻蚀阻挡层为金属层，所述第一刻蚀阻挡层为对所述金属层进行处理后形成的透明绝缘层。

6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层的材料包括铝。

7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的材料包括氧化铝。

8.如权利要求5-7任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为有机电致发光显示基板。

9.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求5-8任一项所述的显示基板。