[发明专利]多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

陶瓷主体，包括彼此面对的第一内电极和第二内电极，且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及

第一外电极和第二外电极，位于所述陶瓷主体的外表面上，并分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极，

其中，所述介电层包括介电晶粒，所述介电晶粒包括基本上不含镝的第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第二区域为所述第一区域与所述介电晶粒的晶界之间的区域，并且

其中，相邻的两个介电晶粒的相应的第一区域的边界之间的最短距离为“L”，在距沿所述两个介电晶粒之间的所述最短距离的中点±0.2L内的材料的第三区域中，镝的第一浓度小于所述第二区域中的镝的第二浓度，所述第三区域位于所述相邻的两个介电晶粒之间的区域中。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第三区域中的镝的所述第一浓度为所述第二区域中的镝的所述第二浓度的50％或更小。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的一者或更多者的第一厚度为0.4μm或更小，所述第一内电极和所述第二内电极中的一者或更多者的第二厚度为0.4μm或更小。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括镁。

5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括钛酸钡作为基体材料主要成分，并且基于100mol的基体材料主要成分，包括含量为超过0mol并且为1.0mol或更少的镁。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括铝。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括钛酸钡作为基体材料主要成分，并且基于100mol的基体材料主要成分，包括含量为超过0mol并且为4.0mol或更少的铝。

8.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒具有核-壳结构，且所述第一区域为所述核-壳结构的核。

9.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的一者或更多者的第一厚度为0.4μm或更小。

10.根据权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第一内电极和所述第二内电极中的一者或更多者的第二厚度为0.4μm或更小。

11.一种多层陶瓷电容器，包括：

陶瓷主体，包括彼此面对的第一内电极和第二内电极，且介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间，

其中，所述介电层包括具有核-壳结构的介电晶粒，

其中，每个所述介电晶粒包括：第一区域，位于所述核-壳结构的核中，基本上不含镝；以及第二区域，位于所述第一区域外部并基本上包围所述第一区域，所述第二区域为所述第一区域与所述介电晶粒的晶界之间的区域，并且

其中，相邻的两个介电晶粒的相应的所述第一区域的边界之间的最短距离为“L”，在距沿所述两个介电晶粒之间的所述最短距离的中点±0.2L内的材料的第三区域中，镝的第一浓度小于所述第二区域中的镝的第二浓度，所述第三区域位于所述相邻的两个介电晶粒之间的区域中。

12.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，所述第三区域中的镝的所述第一浓度为所述第二区域中的镝的所述第二浓度的50％或更小。

13.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电层中的一者或更多者的第一厚度为0.4μm或更小，所述第一内电极和所述第二内电极中的一者或更多者的第二厚度为0.4μm或更小。

14.根据权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中，所述介电晶粒包括镁。