[发明专利]一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路

说明书

本发明涉及一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路，包括基准产生模块，补偿模块及负载增强模块，其中，所述基准产生模块用于产生带隙基准电压；所述补偿模块连接所述基准产生模块，用于对所述带隙基准电压进行补偿；所述负载增强模块连接所述基准产生模块和补偿模块，用于增大所述基准产生模块的电流负载能力。该稳压电路能够有效降低电路中由于不匹配等原因引起的失调电压和噪声对整体电路的影响。

技术领域

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路。

背景技术

带隙基准(BGR)是利用一个与温度成正比的电压和一个与温度成反比的电压之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。精准的带隙基准是许多模拟电路、数字电路和混合信号电路的基本组成部分，其性能优劣直接影响着整个电路的稳定性。噪声、偏置电压和温度变化都极大的影响了带隙基准的精度。最重要的是当信号传输到输出时，误差放大器引入的噪声和偏移将乘以一个很大的因子，引起很大的误差。总之，精确的带隙基准在高精度应用有着巨大的前景，特别是对于锂离子电池充电应用和其他远程物理输出应用。

为了解决这一问题，现有技术采用了自动调零或斩波技术，但其中的开关可能会降低电压基准的性能。例如，自动调零技术的开关会由于沟道电荷注入和时钟馈通的作用而引入误差项。此外，由于斩波产生的上调偏移在误差放大器的输出端产生高频纹波，导致了需要使用大的外部电容。

此外，负载能力也是带隙基准源电路的一个关键设计指标。电流模式的带隙基准无法承载负载，因此需要使用缓冲器，而缓冲器会引入新的精度和噪声问题，使得电流模式带隙基准在高精度方面的应用前景不大。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明提供了一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路，包括基准产生模块，补偿模块及负载增强模块，其中，

所述基准产生模块用于产生带隙基准电压；

所述补偿模块连接所述基准产生模块，用于对所述带隙基准电压进行补偿；

所述负载增强模块连接所述基准产生模块和补偿模块，用于增大所述基准产生模块的电流负载能力。

在本发明的一个实施例中，所述基准产生模块包括误差放大器、第一分压电阻、第二分压电阻、第一达林顿子模块和第二达林顿子模块，其中，

所述第一分压电阻和所述第一达林顿子模块并联在基准输出端与接地端之间；

所述第二分压电阻和所述第二达林顿子模块并联在所述基准输出端与所述接地端之间；

所述误差放大器的负输入端连接在所述第一达林顿子模块与所述第一分压电阻之间的节点处，所述误差放大器的正输入端连接在所述第二达林顿子模块与所述第二分压电阻之间的节点处，所述误差放大器的输出端连接所述补偿模块。

在本发明的一个实施例中，所述基准产生模块还包括第三分压电阻，所述第三分压电阻连接在所述基准输出端与第一分压电阻之间的节点处。

在本发明的一个实施例中，所述第一达林顿子模块包括第一双极晶体管和第三双极晶体管，所述第二达林顿子模块包括第二双极晶体管和第四双极晶体管，其中，

所述第一双极晶体管的集电极连接所述误差放大器的负输入端，所述第一双极晶体管的发射极连接接地端，所述第一双极晶体管的基极连接所述第三双极晶体管的发射极；

所述第三双极晶体管的集电极连接所述误差放大器的负输入端，所述第三双极晶体管的基极连接所述第四双极晶体管的集电极；