[发明专利]一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路

权利要求书

1.一种具有失调抑制和负载增强的稳压电路，其特征在于，包括基准产生模块(101)，补偿模块(102)及负载增强模块(103)，其中，

所述基准产生模块(101)用于产生带隙基准电压；

所述补偿模块(102)连接所述基准产生模块(101)，用于对所述带隙基准电压进行补偿；

所述负载增强模块(103)连接所述基准产生模块(101)和补偿模块(102)，用于增大所述基准产生模块(101)的电流负载能力；

所述基准产生模块(101)包括误差放大器(OTA)、第一分压电阻(R₁)、第二分压电阻(R₂)、第一达林顿子模块(1011)和第二达林顿子模块(1012)，其中，

所述第一分压电阻(R₁)和所述第一达林顿子模块(1011)并联在基准输出端(V_REF)与接地端(GND)之间；

所述第二分压电阻(R₂)和所述第二达林顿子模块(1012)并联在所述基准输出端(V_REF)与所述接地端(GND)之间；

所述误差放大器(OTA)的负输入端连接在所述第一达林顿子模块(1011)与所述第一分压电阻(R₁)之间的节点处，所述误差放大器(OTA)的正输入端连接在所述第二达林顿子模块(1012)与所述第二分压电阻(R₂)之间的节点处，所述误差放大器(OTA)的输出端连接所述补偿模块(102)。

2.根据权利要求1所述的稳压电路，其特征在于，所述基准产生模块(101)还包括第三分压电阻(R₃)，所述第三分压电阻(R₃)连接在所述基准输出端(V_REF)与第一分压电阻(R₁)之间的节点处。

3.根据权利要求2所述的稳压电路，其特征在于，所述第一达林顿子模块(1011)包括第一双极晶体管(Q₁)和第三双极晶体管(Q₃)，所述第二达林顿子模块(1012)包括第二双极晶体管(Q₂)和第四双极晶体管(Q₄)，其中，

所述第一双极晶体管(Q₁)的集电极连接所述误差放大器(OTA)的负输入端，所述第一双极晶体管(Q₁)的发射极连接接地端(GND)，所述第一双极晶体管(Q₁)的基极连接所述第三双极晶体管(Q₃)的发射极；

所述第三双极晶体管(Q₃)的集电极连接所述误差放大器(OTA)的负输入端，所述第三双极晶体管(Q₃)的基极连接所述第四双极晶体管(Q₄)的集电极；

所述第二双极晶体管(Q₂)的集电极连接在所述第四双极晶体管(Q₄)的集电极与所述第三双极晶体管(Q₃)的基极之间的节点处，所述第二双极晶体管(Q₂)的发射极连接接地端(GND)，所述第二双极晶体管(Q₂)的基极连接所述第四双极晶体管(Q₄)的发射极；

所述第四双极晶体管(Q₄)的基极连接在所述第一分压电阻(R₁)与所述第三分压电阻(R₃)之间的节点处。