[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号： | 201811401262.3 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545829A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 侯文军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素定义层 阵列基板 显示装置 基板 无机层 脱气 制作 | ||
1.一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的像素定义层，其特征在于，所述像素定义层为无机层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括：覆盖所述像素定义层中挡墙的上表面以及侧面的疏液层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素定义层厚度为所述疏液层的厚度的1～50倍。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，
所述像素定义层厚度为所述疏液层的厚度的20～40倍。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括：位于所述像素定义层靠近所述基板一侧的亲液层，所述亲液层在所述像素定义层中挡墙的侧面的底部形成凸出的台阶结构。
6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板还包括：从所述像素定义层中挡墙的底部向侧面延伸形成的台阶结构；
所述像素定义层包括无机亲液材料。
7.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述疏液层的厚度为0.1μm～0.5μm；所述像素定义层的厚度为0.1μm～5μm。
8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成无机膜层，并通过构图工艺形成像素定义层；
在形成有所述像素定义层的基板上形成覆盖所述像素定义层中挡墙的上表面以及侧面的疏液层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，
所述在基板上形成无机膜层，并通过构图工艺形成像素定义层的同时，在所述像素定义层中挡墙的底部形成向侧面延伸的台阶结构。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
