[发明专利]一种半导体器件的形成方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：通过刻蚀在预设衬底上沉积的介质层和绝缘层，形成第一通道；

在所述第一通道内形成具有第一预设厚度的高压栅氧化层，所述高压栅氧化层包括相对的第一端和第二端；

刻蚀掉所述绝缘层；

在与刻蚀掉所述绝缘层的位置对应的区域，形成具有第二预设厚度的低压栅氧化层，其中，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度，所述低压栅氧化层包括靠近所述高压栅氧化层的第一端的第一低压栅氧化层，以及靠近所述高压栅氧化层的第二端的第二低压栅氧化层，所述第一低压栅氧化层和所述第二低压栅氧化层的成分不同；

在所述高压栅氧化层之上形成栅极，在所述第一低压栅氧化层和所述第二低压栅氧化层之下分别形成源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀掉所述绝缘层之前，所述方法还包括：

在所述介质层的侧壁，沿所述第一通道的延伸方向形成浅沟道隔离层；

在所述浅沟道隔离层与所述高压栅氧化层之间形成第二通道。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在与刻蚀掉所述绝缘层的位置对应的区域，形成具有第二预设厚度的低压栅氧化层，包括：

通过位于所述第二通道的底部，且位于所述浅沟道隔离层与所述高压栅氧化层之间的所述预设衬底上形成所述低压栅氧化层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述高压栅氧化层之上形成栅极，包括：

在所述高压栅氧化层之上沉积多晶硅层，通过对所述多晶硅层进行刻蚀，形成所述栅极；其中，所述多晶硅层的横截面面积小于或者等于所述高压栅氧化层的横截面面积。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述预设衬底进行第一离子掺杂，形成掺杂区；

对应地，所述在所述第一低压栅氧化层和所述第二低压栅氧化层之下分别形成源极和漏极，包括：

对位于所述第一低压栅氧化层之下的所述掺杂区的第一区域，进行第二离子掺杂，形成所述源极；

对位于所述第二低压栅氧化层之下的所述掺杂区的第二区域，进行第二离子掺杂，形成所述漏极。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述高压栅氧化层之上形成栅极，在所述第一低压栅氧化层和所述第二低压栅氧化层之下分别形成源极和漏极之后，所述方法还包括：

刻蚀所述源极和所述漏极之上的所述第一低压栅氧化层和所述第二低压栅氧化层；

在所述栅极、所述源极和所述漏极的表面分别沉积栅极接触层、源极接触层和漏极接触层。

7.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：

预设衬底；

通过刻蚀沉积在所述预设衬底之上的介质层和绝缘层，形成的第一通道，在所述第一通道内形成的具有第一预设厚度的高压栅氧化层；

在与刻蚀掉所述绝缘层的位置对应的区域，所形成的具有第二预设厚度的低压栅氧化层，其中，所述第二预设厚度小于所述第一预设厚度，所述低压栅氧化层包括靠近所述高压栅氧化层的第一端的第一低压栅氧化层，以及靠近所述高压栅氧化层的第二端的第二低压栅氧化层，所述第一低压栅氧化层和所述第二低压栅氧化层的成分不同；

在所述高压栅氧化层之上所形成的栅极，在所述第一低压栅氧化层和所述第二低压栅氧化层之下分别形成的源极和漏极。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

在所述介质层的侧壁，沿所述第一通道的延伸方向所形成的浅沟道隔离层；

在所述浅沟道隔离层与所述高压栅氧化层之间所形成的第二通道。