[发明专利]LED芯片结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种LED芯片结构及其制作方法，LED芯片结构包括从下往上依次设置的衬底、外延层、反射金属层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层，电流阻挡层包覆反射金属层；电流阻挡层部分位于外延层上。此结构是将反射电极层中的反射金属层移植到电流阻挡层中，使得反射金属层的正面和侧面全部包裹在电流阻挡层中，以隔绝外界杂质的侵入，避免反射金属层与氧元素、硫元素接触，防止被氧化，同时，在芯片制作过程中，高温融合透明导电层时，由于反射金属层没有与透明导电层直接接触，不会有电流通过反射金属层，反射金属层不会主动产生热量，进而提高了LED芯片结构的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种LED芯片结构及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode)芯片是一种固态的半导体器件，其具有一些提高出光效率的芯片结构：电流阻挡层和金属反射电极层等。电流阻挡层的作用是将透明的绝缘膜层铺垫在起电流注入作用的金属电极下面，可使电流注入时绕开金属电极接触区域，减少金属电极对光的吸收，而金属反射电极层是在金属电极与外延片接触面上使用一种具有高反射率的金属层，有利于将从金属电极处出射的可见光再次反射回芯片里面，通过二次反射或者多次反射从其他不吸光的区域出射，防止光线被金属电极吸收。但是金属反射电极层应用在LED芯片结构中有一种缺陷，例如反射金属层一般为Al，Ag等高反射率金属，这类金属化学性质比较活泼，容易和氧元素，硫元素发生反应而破坏金属的反射率和导电性，甚至会破坏与之相接面的粘附性。

现有的一种解决方法是在金属反射电极层和透明导电层之间加入很薄的一层金属隔离层，例如铬，镍，鈦等。

但是这种方式会显著影响金属反射电极层的反射率，降低反射电极的作用。

发明内容

本发明提供一种LED芯片结构及其制作方法，提高了金属反射电极层的稳定性。

本发明提供一种LED芯片结构，包括从下往上依次设置的衬底、外延层、反射金属层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层，所述电流阻挡层包覆所述反射金属层。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

所述电流阻挡层部分位于所述外延层上。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

还包括金属保护层，所述金属保护层覆盖在所述反射金属层上，所述金属保护层位于所述电流阻挡层和所述反射金属层之间。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

所述透明导电层包覆所述电流阻挡层，所述透明导电层部分位于所述外延层上。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

所述反射金属层为单层金属或多层金属。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

所述反射金属层的材料为铝和/或银。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

所述反射金属层与所述外延层的接触面对于440-470nm波段的反射率不小于90％。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

所述透明导电层的厚度为60nm-230nm。

作为一种可选的方式，本发明提供的LED芯片结构，

所述电流阻挡层的边缘相对于所述反射金属层向外延伸10-15μm。

本发明还提供了一种LED芯片结构的制作方法，包括：