[发明专利]LED芯片结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201811397647.7 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109378372A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 康建;刘伟;郑远志;梁旭东;陈向东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 黄溪;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反射金属层 电流阻挡层 透明导电层 外延层 芯片制作过程 反射电极层 金属电极层 电流通过 高温融合 外界杂质 依次设置 硫元素 氧元素 包覆 衬底 制作 侵入 移植 侧面 | ||
1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括从下往上依次设置的衬底、外延层、反射金属层、电流阻挡层、透明导电层和金属电极层，所述电流阻挡层包覆所述反射金属层。
2.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述电流阻挡层部分位于所述外延层上。
3.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，还包括金属保护层，所述金属保护层覆盖在所述反射金属层上，所述金属保护层位于所述电流阻挡层和所述反射金属层之间。
4.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述透明导电层包覆所述电流阻挡层，所述透明导电层部分位于所述外延层上。
5.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述反射金属层为单层金属或多层金属。
6.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述反射金属层的材料为铝和/或银。
7.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述反射金属层与所述外延层的接触面对于440-470nm波段的反射率不小于90％。
8.根据权利要求7所述的LED芯片结构，其特征在于，所述透明导电层的厚度为60nm-230nm。
9.根据权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述电流阻挡层的边缘相对于所述反射金属层向外延伸10-15μm。
10.一种LED芯片结构的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成外延层；
在所述外延层上形成反射金属层；
在所述外延层上形成电流阻挡层，且所述电流阻挡层包覆所述反射金属层；
在所述电流阻挡层上依次设置透明导电层和金属电极层。
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