[发明专利]一种自适应LDO电路

说明书

本申请提供了一种自适应LDO电路，包括：开环网络电路和闭环网络电路，其中，所述开环网络电路用于在负载电流低于第一预设值时运行；所述闭环网络电路用于检测所述负载电流的大小，并在检测到所述负载电流增大到所述第一预设值时开始运行。该自适应LDO电路，在空载时有极低的静态功耗，且能随时跟踪重载负载电流的变化，这样闭环网络能够根据负载电流的大小决定工作或者不工作，避免了额外的电路负载，降低了整体的功耗，而且电路运行从低负载到高负载是一个连贯的过程，瞬态响应良好。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种自适应LDO电路。

背景技术

随着电子类产品的不断发展进步，电源管理技术在各种电子系统中得到了广泛应用，然而，无论哪种电子产品，都面临着一个问题，即如何高效的实现电源管理来延长使用寿命和提升性能，因此，这便对电源管理芯片提出了更高的要求。大多数芯片考虑到多种应用场景，一般采用多种运行模式，包括工作模式、待机模式等。

如图1所示，传统的结构是采用两种LDO(Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器)架构组合而成，为芯片在不同模式下分别供电。显然这种架构既增加了电路的复杂度，又由于在切换模式控制时，通过图1中的Mode进行模式切换，低负载情况下选择左侧的低负载路径，高负载情况下选择右侧的高负载路径，这个控制过程是一个离散的过程，对输出电压的瞬态特性影响较大，影响芯片的性能，而且功耗较高。

有鉴于此，如何设计在空载负载电流条件下消耗极低静态功耗，同时兼顾正常工作模式电路的复杂程度，提升芯片的性能，仍是非常重要的研究课题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种自适应LDO电路，在保证空载负载电流条件下消耗极低的静态功耗的基础上，同时兼顾正常工作模式电路的复杂程度，提升芯片的性能。

为了实现上述目的，本申请提供了以下技术方案：

一种自适应LDO电路，包括：开环网络电路和闭环网络电路，其中，

所述开环网络电路用于在负载电流低于第一预设值时运行；

所述闭环网络电路用于检测所述负载电流的大小，并在检测到所述负载电流增大到所述第一预设值时开始运行。

优选的，所述开环网络电路包括：第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第一PNP型三极管PNP1和第一电阻R1；其中，

所述第一N型MOS管MN1的栅极和漏极同时与电流源IBIAS2以及所述第二N型MOS管MN2的栅极相连，所述第一N型MOS管MN1的源极通过所述第一电阻R1与所述第一PNP型三极管PNP1的发射极相连，所述第一PNP型三极管PNP1的基极和集电极接地；所述第二N型MOS管MN2的漏极与电源相连，所述第二N型MOS管MN2的源极通过并联的负载电阻Rload和负载电容Cload接地。

优选的，所述闭环网络电路包括：电流镜电路单元、检测电路单元以及第九N型MOS管MN9；

所述电流镜电路单元包括：第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5、第七N型MOS管MN7、第八N型MOS管MN8、第三P型MOS管MP3和第四P型MOS管MP4；

所述检测电路单元包括：第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、所述第五N型MOS管MN5、第六N型MOS管MN6和所述第七N型MOS管MN7；

其中，所述第三N型MOS管MN3的栅极和漏极同时与电流源IBIAS1以及所述第四N型MOS管MN4的栅极、所述第五N型MOS管MN5的栅极相连，所述第三N型MOS管MN3的源级、所述第四N型MOS管MN4的源极和所述第五N型MOS管MN5的源极均接地；