[发明专利]一种自适应LDO电路

权利要求书

1.一种自适应LDO电路，其特征在于，包括：开环网络电路和闭环网络电路，其中，

所述开环网络电路用于在负载电流低于第一预设值时运行；

所述闭环网络电路用于检测所述负载电流的大小，并在检测到所述负载电流增大到所述第一预设值时开始运行；

其中，所述开环网络电路包括：第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第一PNP型三极管PNP1和第一电阻R1；其中，

所述第一N型MOS管MN1的栅极和漏极同时与电流源IBIAS2以及所述第二N型MOS管MN2的栅极相连，所述第一N型MOS管MN1的源极通过所述第一电阻R1与所述第一PNP型三极管PNP1的发射极相连，所述第一PNP型三极管PNP1的基极和集电极接地；所述第二N型MOS管MN2的漏极与电源相连，所述第二N型MOS管MN2的源极通过并联的负载电阻Rload和负载电容Cload接地。

2.根据权利要求1所述的自适应LDO电路，其特征在于，所述闭环网络电路包括：电流镜电路单元、检测电路单元以及第九N型MOS管MN9；

所述电流镜电路单元包括：第三N型MOS管MN3、第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5、第七N型MOS管MN7、第八N型MOS管MN8、第三P型MOS管MP3和第四P型MOS管MP4；

所述检测电路单元包括：第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、所述第五N型MOS管MN5、第六N型MOS管MN6和所述第七N型MOS管MN7；

其中，所述第三N型MOS管MN3的栅极和漏极同时与电流源IBIAS1以及所述第四N型MOS管MN4的栅极、所述第五N型MOS管MN5的栅极相连，所述第三N型MOS管MN3的源级、所述第四N型MOS管MN4的源极和所述第五N型MOS管MN5的源极均接地；

所述第四NMOS管MN4的漏极与所述第三P型MOS管MP3的漏极、所述第九N型MOS管MN9的栅极相连；

所述第五N型MOS管MN5的漏极与所述第一P型MOS管MP1的栅极和漏极、所述第二P型MOS管MP2的栅极相连；

所述第一P型MOS管MP1的源级与所述开环网络电路中的第二N型MOS管MN2的源极、所述第九N型MOS管MN9的源极相连；

所述第二P型MOS管MP2的源级与所述第六N型MOS管MN6的源级相连，所述第二P型MOS管MP2的漏极与所述第七N型MOS管MN7的栅极和漏极、所述第八N型MOS管MN8的栅极相连；

所述第七N型MOS管MN7的源级和所述第八N型MOS管MN8的源极均接地；

所述第八N型MOS管MN8的漏极与所述第四P型MOS管MP4的栅极和漏极、所述第三P型MOS管MP3的栅极相连；

所述第九N型MOS管MN9的漏极、所述第三P型MOS管MP3的源级、所述第六N型MOS管MN6的漏极和所述第四P型MOS管MP4的源级均与电源相连；

所述第六N型MOS管MN6的栅极与所述开环网络电路中的第一N型MOS管MN1的栅极和漏极相连。

3.根据权利要求1所述的自适应LDO电路，其特征在于，所述第二N型MOS管MN2的宽长比是所述第一N型MOS管MN1的宽长比的50倍，电流源IBIAS2为200nA。

4.根据权利要求2所述的自适应LDO电路，其特征在于，所述第二N型MOS管MN2的宽长比是所述第六N型MOS管MN6的宽长比的100倍。