[发明专利]半导体生产设备的清洗方法及半导体工艺方法

说明书

本发明提供一种半导体生产设备的清洗方法及半导体工艺方法，半导体生产设备包括反应腔室，反应腔室的内壁沉积有污染物，清洗方法包括：于反应腔室的底部设置挡片晶圆；于反应腔室中通入等离子体，等离子体与污染物进行化学反应生成气体及固体颗粒，固体颗粒沉积于挡片晶圆表面，气体随等离子体的排出口排出。通过本发明的清洗方法可以有效降低反应腔室内壁上黏附的微尘粉粒(污染物)剥落至晶圆表面所导致的缺陷，由此提高产品的良率，降低机台维护周期及降低生产成本。

技术领域

本发明属于半导体集成电路制造技术领域，特别是涉及一种半导体生产设备的清洗方法及半导体工艺方法。

背景技术

随着集成电路集成度的增加，半导体元器件以及线宽等越来越小，半导体生产环境的要求也越来越严格，因此微尘粉粒(particle)已成为影响产品良率的重要因素。

在集成电路制造过程中，晶圆在半导体生产设备中经过若干工艺制成所需器件，晶圆的加工程序繁复且精密，大致上包括有：微影、刻蚀、扩散、离子布植、外延薄膜生长等等过程，其中很多工艺过程中都会有微颗粒形成，微颗粒会黏附于半导体生产设备反应腔室的内壁，随着内壁上黏附的微颗粒厚度的增加，其应力逐渐增加，黏附在反应腔室内壁上的微颗粒会随着应力的增加而剥落，这些剥落的微颗粒(污染物)若掉落在晶圆的表面，会在晶圆表面形成缺陷，进而影响后续元件导致器件失效，从而影响产品的良率。

因此，如何提供一种半导体生产设备清洗方法及半导体工艺方法，以解决现有技术中所存在的上述问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体生产设备清洗方法及半导体工艺方法，用于解决现有技术中半导体生产设备的反应腔室内壁上黏附的微尘粉粒剥落至晶圆表面所导致的缺陷等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种半导体生产设备的清洗方法，所述半导体生产设备包括反应腔室，所述反应腔室的内壁沉积有污染物，所述清洗方法至少包括步骤：

1)于所述反应腔室的底部设置挡片晶圆；

2)于所述反应腔室中通入等离子源气体产生等离子体，所述等离子体与所述污染物进行反应生成气体及固体颗粒，所述固体颗粒沉积于所述挡片晶圆表面，所述气体随所述等离子体的排出口排出。

可选地，步骤2)中，于所述反应腔室中通入所述等离子源气体包括由氢气、三氟化氮和氯气组成的群组中的一种或多种的混合气体，所述反应时间介于20s～750s。

进一步地，步骤2)中，形成所述等离子体的氢气流量介于80sccm～200sccm，形成所述等离子体的功率介于700W～2000W，所述反应腔室的温度介于100℃～200℃。

可选地，所述挡片晶圆包括裸硅晶圆或表面形成有氧化硅的晶圆。

可选地，所述清洗方法还包括从所述反应腔室中取出沉积有所述固体颗粒的所述挡片晶圆的步骤。

进一步地，所述清洗方法还包括执行上述所述步骤，并以所述步骤作为清洗周期反复进行，直至对所述反应腔室的内壁的清洗洁净度达到目标要求。

进一步地，重复所述清洗周期的次数介于1次～25次，每次所述清洗周期中通入所述等离子体的时间介于10s～30s。

本发明还提供一种半导体工艺方法，所述半导体工艺方法至少包括步骤：

1)于半导体生产设备的反应腔室中进行预设时间的产品制程工艺；

2)完成所述预设时间的产品制程工艺后，采用上述任一方案所述的半导体生产设备的清洗方法对所述反应腔室进行清洗；

3)清洗完毕后，进行下一次所述预设时间的所述产品制程工艺。