[发明专利]半导体生产设备的清洗方法及半导体工艺方法

权利要求书

1.一种半导体生产设备的清洗方法，所述半导体生产设备包括反应腔室，所述反应腔室的内壁沉积有污染物，其特征在于，所述清洗方法至少包括步骤：

于所述反应腔室的底部设置挡片晶圆；

于所述反应腔室中通入等离子源气体产生等离子体，所述等离子体与所述污染物进行反应生成气体及固体颗粒，所述固体颗粒沉积于所述挡片晶圆表面，所述气体随所述等离子体的排出口排出。

2.根据权利要求1所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于：于所述反应腔室中通入所述等离子源气体包括由氢气、三氟化氮和氯气组成的群组中的一种或多种的混合气体，所述反应时间介于20s～750s。

3.根据权利要求2所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于：形成所述等离子体的氢气流量介于80sccm～200sccm，形成所述等离子体的功率介于700W～2000W，所述反应腔室的温度介于100℃～200℃。

4.根据权利要求1所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于：所述挡片晶圆包括裸硅晶圆或表面形成有氧化硅的晶圆。

5.根据权利要求1所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于：所述清洗方法还包括从所述反应腔室中取出沉积有所述固体颗粒的所述挡片晶圆的步骤。

6.根据权利要求5所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于：所述清洗方法还包括执行权利要求5所述步骤，并以所述步骤作为清洗周期反复进行，直至对所述反应腔室的内壁的清洗洁净度达到目标要求。

7.根据权利要求6所述的半导体生产设备的清洗方法，其特征在于：重复所述清洗周期的次数介于1次～25次，每次所述清洗周期中通入所述等离子体的时间介于10s～30s。

8.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法至少包括步骤：

1)于半导体生产设备的反应腔室中进行预设时间的产品制程工艺；

2)完成所述预设时间的产品制程工艺后，采用如权力要求1-7任意一项所述的半导体生产设备的清洗方法对所述反应腔室进行清洗；

3)清洗完毕后，进行下一次所述预设时间的所述产品制程工艺。

9.根据权利要求8所述的半导体工艺方法，其特征在于，步骤3)之后还包括步骤：重复步骤2)及步骤3)至少一次。

10.根据权利要求8所述的半导体工艺方法，其特征在于：步骤1)中，所述预设时间介于6h～24h。