[发明专利]一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备

说明书

一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，包括底座，其左上端设置有柜体，柜体的上端设置有第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑块，滑块与推进机构连接，滑块的上端安装有侧面打磨机构；底座的右上端设置有支撑座，支撑座上设置有第二直线导轨，第二直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接实现上下升降，升降座上设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上；它还包括吸尘装置。本发明结构简单，自动化程度高，能够对2‑5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。

技术领域

本发明涉及一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备。

背景技术

锑化镓是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,对它的研究远不如其他半导体材料(如GaAs,InP等)那样深入。但近些年来这种材料越来越引起人们兴趣,这主要是光纤通信技术的发展,对新器件的潜在需求而引起的。在光通信中为了减少传输中的损耗,总是尽可能采用较长波长的光,最早使用0.8μm波长的光,现在使用1.55μm波长的光。据估计下一代光纤通信将采用更长波长的光。研究表明某些非硅材料光纤在波长为(2～4)μm的范围时传输损耗更小。在所有Ⅲ-Ⅴ族材料中,锑化镓作为衬底材料引起了更多的注意,因为它可以与各种Ⅲ-Ⅴ族材料的三元、四元固熔体合金的晶格常数相匹配,这些材料光谱的范围在(0.8～4.0)μm之间,正好符合要求。另外,利用锑化镓基材料超晶格的带间吸收也可以制造更长波长(8～14)μm范围的探测器。

现有仪器中对锑化镓单晶片表面光滑度越来越讲究，而对锑化镓单晶片表面的打磨大多采用手工打磨，手工打磨存在打磨不均匀，打磨效率低等缺陷。

发明内容

本发明的目的是针对以上问题，提供一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面打磨的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。

为实现以上目的，本发明采用的技术方案是：它包括底座，其左上端设置有柜体，柜体的上端设置有第一直线导轨，第一直线导轨上安装有滑块，滑块与推进机构连接实现左右移动，滑块的上端设置有支撑架，支撑架上安装有侧面打磨机构；侧面打磨机构包括第一电机、与第一电机输出轴相连的转轴、设置在转轴末端的打磨盘；底座的右上端设置有支撑座，支撑座上设置有第二直线导轨，第二直线导轨上安装有升降座，升降座与升降机构连接实现上下升降，升降座上设置有第二电机，第二电机的输出轴连接真空吸盘，锑化镓单晶片安装在真空吸盘上。

进一步的，推进机构包括固定设置在滑块左侧的齿条和设置在柜体上端的第四电机，第四电机的输出轴连接齿轮，齿条与齿轮啮合连接。

进一步的，升降机构包括滚珠丝杆和第三电机，滚珠丝杆与第三电机的输出轴连接，滚珠丝杆的螺母与升降座固定连接。

进一步的，侧面打磨机构和吸尘装置的顶部设置有保护罩。

本发明的有益效果：本发明提供了一种切削量可调的锑化镓单晶片侧边打磨设备，结构简单，自动化程度高，能够对2-5mm厚的锑化镓单晶片进行快速夹装和对锑化镓单晶片侧面进行快速打磨，且对于锑化镓单晶片侧面打磨的切削量可以进行快速调节，提高打磨效率和打磨效果，解决了传统手工打磨不均及效率低等问题。

本发明第三电机旋转带动滚珠丝杆旋转，使升降座上下升降，升降座上升过程中的同时，第一电机带动打磨盘高速旋转，锑化镓单晶片在上升过程中实现侧面快速打磨，提高了生产效率。

本发明中第四电机旋转带动齿条左右移动，从而实现打磨盘对锑化镓单晶片打磨厚度的调节，提高打磨效果。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。