[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有第一表面和与其相对的第二表面，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的第一表面上形成有存储器件；

所述第二区域中贯通所述半导体衬底的绝缘环，所述绝缘环内的衬底用于形成电阻结构；

所述绝缘环内位于所述第一表面衬底中的扩散层；

位于所述第二区域的第一表面上的覆盖层；

所述覆盖层中所述扩散层的第一引出结构和第二引出结构；

第二半导体衬底，所述第二半导体衬底上形成有MOS器件以及MOS器件的互联结构；

所述第一半导体衬底的第一表面朝向所述第二半导体衬底的MOS器件的互联结构，且所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底固定；

所述第一引出结构和第二引出结构分别与所述MOS器件的互联结构电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述存储器件包括栅极层与绝缘层交替层叠的堆叠层、穿过所述堆叠层的存储单元串以及存储单元串之上的介质层中的存储单元互联结构；

所述覆盖层包括第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层与所述堆叠层基本等高，所述第二覆盖层为所述介质层；

所述第一引出结构包括贯穿所述第一覆盖层的所述扩散层上的第一接触以及所述第二覆盖层中、所述第一接触上的第一互联结构；

所述第二引出结构包括贯穿所述第一覆盖层的所述扩散层上的第二接触以及所述第二覆盖层中、所述第二接触上的第二互联结构。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，所述存储单元串包括穿过所述堆叠层的沟道孔以及所述沟道孔侧壁上依次形成的遂穿层、电荷存储层、阻挡层以及沟道层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括所述第二表面上的钝化层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘环为圆形或多边形。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体衬底的厚度小于10um。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述MOS器件包括低压MOS器件和高压MOS器件。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有第一表面和与其相对的第二表面，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的第一表面上形成有存储器件；所述第二区域的第一表面的衬底中形成有扩散层，所述第二区域的第一表面上形成有覆盖层，所述覆盖层中形成有所述扩散层的第一引出结构和第二引出结构；

提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底上形成有MOS器件以及MOS器件的互联结构；

将所述第一半导体衬底的第一表面朝向所述第二半导体衬底的MOS器件的互联结构，并将所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底固定，所述第一引出结构和第二引出结构分别与所述MOS器件的互联结构电连接；

从所述第二表面进行所述第一半导体衬底的减薄；

从所述第二表面在所述第二区域中形成贯通所述半导体衬底的绝缘环，所述绝缘环内的衬底用于形成电阻结构，所述绝缘环的内部区域覆盖所述第一引出结构和第二引出结构所连接的扩散层区域。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在形成所述绝缘环之后，还包括：

在所述第二表面上形成钝化层。